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采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡尔
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性质。
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了siled发
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
一份由潘述栋整理的《led晶片认识》，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/3/18 10:16:45
一份介绍led芯片制程与设备环境的资料，作者是薛水源。现在分享给大家，欢迎各位下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/3/14 10:02:24
led产业对大陆厂商而言，已告别高毛利时代，如何保持和扩大自身获利，是厂商眼前的问题。整体而言，「竞争与合作、降价与提升企业利润」将是2013年大陆led产业发展的主旋律;而产业链
https://www.alighting.cn/resource/20130107/126199.htm2013/1/7 9:34:28
为准确把握广东led芯片发展情况，探讨led产业持续发展的方向.本文将从广东led芯片的产业化、企业、产品.技术等方面分析其发展的主要特点，从技术发展路径和区域优势探寻其发展趋势。
https://www.alighting.cn/2012/12/7 17:01:15
本文转载自新世纪led论坛一篇研究报告，文中详述了中国led衬底材料市场调研及投资发展前景，极尽细致详尽。推荐给业内人士参考。
https://www.alighting.cn/2012/12/4 15:27:54
mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源流
https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34
佛山市国星半导体技术有限公司(以下简称“国星半导体”)为佛山市国星光电股份有限公司(以下简称“国星光电”或“公司”)的控股子公司，因其发展需要，公司拟向国星半导体提供3 亿元的委托
https://www.alighting.cn/2012/8/21 11:59:27
