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led感应局部加热封装试验研究

采用感应局部加热技术,对大功率发光二极管(led)封装进行了试验研究。结果表明,由于感应加热对材料和结构具有选择性,封装过程中仅cu2sn合金焊料层加热,实现了芯片和覆铜陶瓷基板

  https://www.alighting.cn/resource/2008117/V653.htm2008/11/7 13:27:14

设计开发1w-5kw规格开关电源及特殊电源

5w-2000w工业电源系列、基板ac/dc、dc/ac5w-200w电源、1w-150w恒压/恒流led驱动防水电源、50w-500wled大屏幕显示电源系列、通信电源、直流变换电

  http://blog.alighting.cn/lzjwhx/archive/2008/11/6/9264.html2008/11/6 15:28:00

台湾led芯片及封装新加入企业的布局和卡位

我国台湾地区在全球半导体照明产业中的重要地位,使台湾产业发展成为人们的关注点。从本期开始,本杂志邀请秦皇岛鹏远光电子科技有限公司副总经理彭晖先生执笔为我们介绍近期台湾产业发展的一些

  https://www.alighting.cn/news/20081106/91128.htm2008/11/6 0:00:00

led光衰的原因

级led产品长期使用下,光衰程度会比有注重散热的led产品要高。led芯片本身的热阻、银胶的影响、基板的散热效果,以及胶体和金线方面也都与光衰有关

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9233.html2008/10/30 20:20:00

led芯片的制造工艺流程

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、si)上,气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00

全球首款立体led诞生

d。  1923年科学家罗塞夫(lossewo.w.)发现半导体SiC中偶然形成的p-n结中的光发射,但利用半导体p-n结电致发光原理制成发光二极管是在60年代后期得以迅速发

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9226.html2008/10/30 17:51:00

戴尔12月份2/3笔记本显示屏将应用led背光

2008年9月25日,据国外媒体报道,戴尔将从12月中旬起使用无汞led作为笔记本电脑显示屏的光源,旨在降低对环境的影响及便于再利用。

  https://www.alighting.cn/news/20080925/101638.htm2008/9/25 0:00:00

宏碁将让全系列产品均采用led背光技术

来主流趋势,不过macbook Air的定价是不对的。翁健仁透露,宏碁2009年会有更积极的动作,2009年全系列产品将大举转向led背光n

  https://www.alighting.cn/news/20080922/93467.htm2008/9/22 0:00:00

cree公布SiC底板缺陷密度与芯片成品率的关系

美国大型SiC底板厂商科锐(cree)在SiC国际学会“第七届碳化硅与相关材料欧洲会议(ecscrm)”上,以“defect control in si

  https://www.alighting.cn/news/20080912/119518.htm2008/9/12 0:00:00

led铝基板的特点、结构与作用

led的散热问题是led厂家最头痛的问题,不过可以采用铝基板,因为铝的导热係数高,散热好,可以有效的将内部热量导出。铝基板是一种独特的金属基覆铜板,具有良好的导热性、电气绝缘性

  https://www.alighting.cn/resource/20080902/128953.htm2008/9/2 0:00:00

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