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高亮度LED封装工艺及方案

采用白光LED技术之大功率(high power)LED市场将陆续显现。在技术方面,现时遇到最大挑战是提升及保持亮度,若再增强其散热能力,市场之发展深具潜力。

  https://www.alighting.cn/resource/20101101/128242.htm2010/11/1 14:27:02

公路隧道照明中照明功率密度的探讨

随着公路隧道建设的发展,隧道照明节能越来越受到人们的重视,其中隧道照明节能标准的制定尤为重要。该文建议应采用照明功率密度(lpd)作为隧道照明的节能评价指标。通过对隧道照明的特

  https://www.alighting.cn/resource/2014/8/20/18433_62.htm2014/8/20 18:43:03

科锐推出第二代sic功率mosfet

科锐公司 (cree, inc) 宣布推出第二代碳化硅 (sic) 功率mosfet,是能够使系统实现高效率及更尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这新型1200v耐压功

  https://www.alighting.cn/pingce/20130318/122120.htm2013/3/18 10:15:55

功率高压钠灯放电产生电压的计算研究

文章探讨了气体放电间隙参数和填充物对低功率高压钠灯电弧管自主放电产生电压(ub)的影响,并进行了计算。

  https://www.alighting.cn/resource/20071226/V214.htm2007/12/26 9:45:39

欧司朗光电半导体推出高功率激光产品

除全球体积最的首个表面贴装连续波(cw)模式高功率激光器外,欧司朗光电半导体公司(osramoptosemicondu

  https://www.alighting.cn/news/2007620/V8025.htm2007/6/20 10:44:22

江风益:需解决硅衬底做LED芯片几大关键技术

从现有水平看,硅衬底半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术,包括6英寸mocvd设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓droop效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。

  https://www.alighting.cn/news/2010514/V23716.htm2010/5/14 9:42:25

美团队研发高效深紫外LED,创业界最低波长纪录

美国康乃尔大学的研究团队,最新就研发出一种体积且更环保的深紫外线LED光源,并创下目前业界deep-uv LED最低波长的纪录。

  https://www.alighting.cn/news/20170307/148759.htm2017/3/7 9:51:59

台湾LED厂积极转型,ir、uv LED等最被看好

陆资LED厂持续扩产,刺激台湾LED厂积极转型,扩大非照明、背光的布局,2017年转型成果有机会进一步展现。间距显示屏、红外线、紫外光杀菌以及各类感测等应用,可望收割成果。

  https://www.alighting.cn/news/20170120/147744.htm2017/1/20 9:42:57

日光灯规格:t8、t5、t4区别及灯管长度、功率说明

注:统一宽度39mm、高度52mm) 常用的日光灯长度与功率:(20w 长620mm; 30w 长926mm; 40w长1230mm)t5灯管的直径就是(5/8)×25.4=16 m

  http://blog.alighting.cn/2012/archive/2012/5/2/273379.html2012/5/2 10:08:36

cree发表亮度提高70%的xlampxr-e LED

据悉,cree公司推出新绿光xlamp(r) xr-e LED,亮度比前一代绿光高功率LED高出70%左右。在350 ma电流驱动时,新绿光xlamp(r) xr-e LED的最

  https://www.alighting.cn/news/20071123/116129.htm2007/11/23 0:00:00

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