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由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45EV(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
司，panasonic liquid crystal display co., ltd.），并会免除这一公司对旗下另一公司的债务，加速转向生产电动车（EV）电
https://www.alighting.cn/news/20230803/174787.htm2023/8/3 9:50:11
inn材料在光电子领域有着非常重要的应用价值,inn是性能优良的半导体材料。inn的禁带宽度也许是0.7EV左右,而不是先前普遍接受的1.9EV,所以通过调节合金组分可以获得从0
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
德国万可端子wago 德国wago公司设计和生产由其首创的以“笼式弹簧夹持”技术（cageclamp）为特征的接线端子和连接器。笼式弹簧夹持单元（cageclamp）——这种
http://blog.alighting.cn/szstar1989/archive/2011/3/8/139324.html2011/3/8 9:16:00
日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV、hEV车及工业设备，与拥有电力系统和电源封装技术的arkansas power electronics internationa
https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122662.htm2011/11/18 17:01:17
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37EV,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0EV).通过xrd测量计算出薄膜11
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
日经新闻5日报导，it、电机大厂为了抢食自动驾驶、电动车(EV)普及所将引发的商机，正积极进行并购，其中日本panasonic将收购欧洲车灯大厂zkw、进军车灯市场。据
https://www.alighting.cn/news/20161206/146572.htm2016/12/6 9:25:37
近日，记者获悉，迈锐光电u2.5 型号led显示屏成功落户陕西省咸阳市天然气公司，据了解该项目面积为18.24平方米，整个项目金额接近100万。
https://www.alighting.cn/pingce/2014717/n379863892.htm2014/7/17 15:52:47
韬播首创led面光源技术，将高亮度贴片led芯片串并联组合，经光学级导光板、扩散板进行光线导向，颠覆传统点光源发光模式，无频闪、无眩光、无重影、无辐射、不伤眼、不伤神、真健康!
https://www.alighting.cn/pingce/2013516/n932551791.htm2013/5/16 15:42:45
