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管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化镓（inGaN）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/27/320061.html2013/6/27 16:27:01
led电子显示屏是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：i-v特性、c-v特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。1
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/31/9242.html2008/10/31 17:45:00
led是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：i-v特性、c-v特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。本文将为你详
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229836.html2011/7/17 22:29:00
装结构中各部分引入的热阻的大小，为评价固晶材料及工艺、封装结构的散热性能等提供了一个重要手段。 对GaN 基蓝光l ed 芯片为基础光源制备的不同种类和结构的大功率蓝光l ed和
http://blog.alighting.cn/qiankeyuan/archive/2013/12/9/345796.html2013/12/9 17:34:49
npola”使用来自威宝母公司三菱化学株式会社的专用氮化镓(GaN)衬底用于氮化镓的外延生长，从而取代蓝宝石或碳化硅衬底。首尔半导体的 专利“npola”结构最大限度地减少活跃层
https://www.alighting.cn/pingce/20130117/122147.htm2013/1/17 10:03:20
led照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商bridgelux 公司，以及全球领导半导体制造商toshiba公司，今日共同宣布成功开发出业界最高水准的8吋氮化镓上矽(GaN o
https://www.alighting.cn/pingce/20120601/122490.htm2012/6/1 10:04:57
晶元光电氮化镓(GaN)布局再下一城。继年初取得德国allos semiconductors矽基氮化镓(GaN-on-si)的技术授权后，晶元光电即将于近期投产GaN-on-s
https://www.alighting.cn/pingce/20151214/135203.htm2015/12/14 9:26:23
本文根据目前半导体照明的最新研究进展，介绍了GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势，从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发，指出了白光led在日常照明普及过程
https://www.alighting.cn/resource/200961/v19863.htm2009/6/1 9:33:11
GaN(氮化镓)系蓝紫色发光组件可应用于新世代dvd，因此备受相关业者高度期待，此外利用led高辉度、省能源的发光特性，蓝紫色发光组件未来还可取代传统的白炙灯、荧光灯，成为白光
https://www.alighting.cn/resource/2007912/V12782.htm2007/9/12 14:13:45
从1907年发光二极管的发明到1995年蓝光led的成功开发，半导体照明经历了曲折的过程。其中包括在蓝光led研发过程中，碳化矽（sic）与氮化镓（GaN）“阵营之争”。led经
https://www.alighting.cn/resource/20071017/V12853.htm2007/10/17 14:13:49
