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快，企业产业化线上完成的功率型芯片封装后光效达到80~100lm/w.功率型白光led封装达到国际先进水平。具有自主知识产权的功率型硅衬底led芯片封装后光效达到78lm/w,处
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/11/126915.html2011/1/11 0:50:00
立的光伏制造设备与硅原材料展区，并组织光伏制造技术相关的研讨会。观众将了解到其所关注的制造技术。 德国国际太阳能技术和产品展自1991年创办以来不断扩大，至今已成为欧洲最大的太阳
http://blog.alighting.cn/zzhuanqiong/archive/2011/1/11/126951.html2011/1/11 11:03:00
等;风力发电及光伏发电互补系统；硅太阳电池；薄膜太阳电池；太阳电池透明封装材料；逆变器；太阳能热水器及其配件、其它太阳能热利用产品及热水工程；太阳能外墙及屋顶组件；新型太阳能灯具；测量
http://blog.alighting.cn/zzhuanqiong/archive/2011/1/11/126952.html2011/1/11 11:03:00
压硅二极管;ce1、ce2、r10、d2～d4 组成无源功率因数校正电路。 bp2808 芯片由 r15、r16 启动电阻降压经 r17、c3 前馈补偿，并由 dz1、c2、
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127034.html2011/1/12 16:40:00
点的温度超过半导体硅的熔点(1415℃)时所引起的。静电的脉冲能量可以产生局部地方发热，因此出现直接击穿灯管和ic的故障。即使电压低于介质的击穿电压，也会发生这种故障。一个典型的例
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127080.html2011/1/12 17:19:00
能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外，在应用设计中，pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进入21世纪后，led的高效化、超高亮度化
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
展。近来，采用最近采用非晶硅（a-si）tft为阵列的am oled开发有突破性的发展，有助于oled产业的推展。若能结合oled业者在镀膜技术、oled封装技术及模块技术上的专长以
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133843.html2011/2/19 23:26:00
性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外，在应用设计中，pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
池工作寿命仅仅1~2年。因此，1w以下的小功率太阳能草坪灯,在没有过高寿命要求的情况下，可以使用滴胶封装形式，对于使用年限有规定的太阳能灯，建议使用层压的封装形式。另外，有一种硅凝
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134088.html2011/2/20 22:11:00
衡方程进行新一轮计算，直到满足计算精度为止。 2计算结果和分析 本文以直径为10cm的圆形单晶硅太阳电池为例，对不同串联内阻和换热系数下的太阳电池输出特性和工作温度进行了数
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00
