站内搜索
术和多量子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00
使细菌分解。 tio2 的杀菌作用在于它的量子尺寸效应,虽然钛白粉(普通tio2)也有光催化作用,也能够产生电子、空穴对,但其到达材料表面的时间在微秒级以上,极易发生复合,很难发
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/13/120315.html2010/12/13 10:37:00
与burroughes等人用共扼聚合物ppv实现了电致发光。共轭聚合物是有机半导体，从原理上讲，这种材料比无机半导体更易于处理和制造，电荷输运与量子效率也不逊色。有机高分子材料主要包括
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00
向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高ｌｅｄ的内、外部量子效
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
瓦,与其它结构的比较如图3所示。台湾地区紧随其后，最近几年发展很快，图4给出了ingaalp超高亮度led的几种新型结构。除外延片的内量子效率在不断提高外，主要体现在：随着芯片结
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
件的电光转换效率（又称外量子效率），使尽可能多的输入功率转变成光能，另一个重要的途径是设法提高元件的热散失能力，使结温产生的热，通过各种途径散发到周围环境中
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120864.html2010/12/14 21:45:00
低，导致串联电阻增大。使用si衬底的另一不利之处是，硅吸收可见光会降低led的外量子效率。尽管如此自1998年以来在硅上氮化镓led方面已经取得了不少令人兴奋的结果。 二、缓冲
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
无宽裕散热空间但却可装置散热风扇。 图中为ingan与alingap两种led用的半导体材料，在各尖峰波长（光色）下的外部量子化效率图，虽然最理想下可逼近40％，但若再
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/1/29/129427.html2011/1/29 10:03:00
阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00
、封装内部结构与包封材料，应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合为
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
