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本文主要介绍了世强电讯基于瑞萨（renesAs）电子为照明应用贴身打造的的高性能78k0/ix2系列mcu开发的智能照明平台解决方案，该方案在硬件、软件方面满足中高端照明产品智能
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261350.html2012/1/8 20:20:32
会达到1.2v。这是相当可观的数字。反过来也可以利用led的这种特性来测量其结温，led射灯例如有一个10串3并的led组合，在接上恒流电源以后，测得其正向压降从32.3v降低到3
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261348.html2012/1/8 20:20:28
力和其它能源的90%。2008年美国的太阳能发电装机容量已经达到35.7万千瓦。近景目标中，到2012年可再生能源产量占发电比例将提高到10％。2012年美国太阳能发电的装机容量会增
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261347.html2012/1/8 20:19:59
h, -nh2, -sh等。 含有生色團或生色團與助色團的分子在led灯控制器紫外可見光區有吸收並伴隨分子本身電子能級的躍遷，不同官能團吸收不同波長的
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261344.html2012/1/8 20:19:53
域采用led产品。 一些瓦数较低的灯具其led芯片成本只有20%左右，其它成本主要来自封装、散热、结构成本、电源等，而其中led封装成本占相当的比重，大概占45%。目前我国封装水平
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261343.html2012/1/8 20:19:52
发等内容。 主要考核指标为led光源的发光效率≥100lm/w，热阻：≤9℃/w，灯具发光效率≥80lm/w，色温：3000-6000k；显色指数：≥80；电源功率因数≥0.
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261342.html2012/1/8 20:19:46
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261341.html2012/1/8 20:19:45
镀Al质金属膜,然后在一定的温度与压力下熔接在一起。如此,从发光层照射到基板的光线被Al质金属膜层反射至芯片表面,从而使器件的发光效率提高2.5倍以上。 三、表面微结构技术 表
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
度的数字转换为像素点发光的时间(d/t转换),即实现了亮度的d/A转换。 设屏幕数据刷新的周期为,控制任意像素点亮度的数据为n位二进制数d=bi2i(其中bi=0或1),ton
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261339.html2012/1/8 20:19:40
温有关，所谓结温就是半导体pn结的温度，结温越高越早出现光衰，也就是寿命越短。从图上可以看出，假如结温为105度，亮度降至70％的寿命只有一万多小时，95度就有2万小时，而结温降
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