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由于si基光发射材料具有与先进的si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (oeic)工程应用的首选材料。但由于体材料si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的
https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14
led在产业政策的指挥棒下，又有新推手。发改委环资司副司长谢极上星期透露发改委正在组织编制半导体照明产业的“十二五”规划，正会同有关部门研究考虑将led纳入“绿色照明工程”中。
https://www.alighting.cn/news/20111028/90105.htm2011/10/28 9:40:48
调查显示，nichia、cree、lumileds、osram、toyoda gosei、toshiba和rohm等占据了绝大多数市场份额的大公司拥有着该领域80%~90%的原创性
https://www.alighting.cn/news/20111026/89838.htm2011/10/26 8:55:29
m项目的公司还有神马实业、柳化股份、兴化股份、川化股份、韶能股份等,cdm项目对这些公司业绩的持续增长提供了新的动力。 智能电网：市场规模快速增长 智能电网建设总
http://blog.alighting.cn/szrgb/archive/2011/10/25/248617.html2011/10/25 17:23:39
利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄膜应
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
“led照明系统检测验证平台” ，是经济部标准检验局建构台湾节能产品检测验证基础环境的重要一环，藉由参加国际间比对试验，让全台led照明产品光电特性量测数据与国际接轨。中心将定
https://www.alighting.cn/news/20111025/100002.htm2011/10/25 10:04:51
近日，国内照明企业深圳市聚作实业有限公司led灯泡产品顺利通过美国ul认证，成为国内照明行业为数不多的led灯泡产品正式通过ul认证的企业。
https://www.alighting.cn/news/20111025/n189235217.htm2011/10/25 9:49:10
