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26日，贵州百公斤级led蓝宝石晶体项目试生产成功合格的105公斤蓝宝石晶体创下亚洲单颗led蓝宝石晶体最大重量记录，该项目的正式投产，填补了国内大尺寸蓝宝石晶体批量生产的空白。
https://www.alighting.cn/news/20111027/100178.htm2011/10/27 8:42:39
.50;第3季底积压订单金额为3.89亿美
https://www.alighting.cn/news/20111026/114884.htm2011/10/26 11:29:27
调查显示，nichia、cree、lumileds、osram、toyoda gosei、toshiba和rohm等占据了绝大多数市场份额的大公司拥有着该领域80%~90%的原创性
https://www.alighting.cn/news/20111026/89838.htm2011/10/26 8:55:29
利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在si(100)、(111)衬底上成功生长了inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
除了已经广泛地应用于led制程中的主动式发光区的mocvd前驱物以外，新成立的led技术业务部门还将提供制造led蓝宝石基板和led芯片所特需的光刻胶、光刻处理所使用的相关配件材
https://www.alighting.cn/news/20111025/114462.htm2011/10/25 9:47:55
i衬底gan led的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec。蓝宝石衬底gan led理想因子为3.0,其对应半峰宽40
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
