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装可获得更高密度、更高亮度的led。由于热的高浓度以及要求高频引线键合连接，这种结构对封装构成了挑战。在led密集的区域中必须精确放置键合线，这种连接拥有稳定的线弧形状，由于较大的
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127031.html2011/1/12 16:39:00
计的光通量不变。当多个led较紧密规则排放，其发光球面相互叠加，导致整个发光平面发光强度分佈比较均匀。 在计算萤幕发光强度时，需根据led视角和led的排放密度，将厂商提供的最
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127092.html2011/1/12 17:24:00
劲优势，已经显示了志在必得的实力。为此，世界各国都曾为led的研发和推广制定了国家级的发展规划，并投入了巨资。科学家们也正在信心百倍地攻克发光功率密度、散热阻抗和制造成本等技术瓶
http://blog.alighting.cn/lrjflash/archive/2011/2/11/132099.html2011/2/11 16:22:00
近年来，初具规模的企业开始注重品牌和品质意识，纷纷在销售策略、宣传手段、产品结构、功能效果上大做文章。比如：p3高清超密度led全彩显示屏、节能显示屏、超薄超轻显示屏、高清高刷
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/2/12/132364.html2011/2/12 15:12:00
果的原因。而普通风冷散热器自然要选择金属作为散热器的材料。我们希望所选用的材料同时具有高比热和高热传导系数，铝的这两个参数都居于前列，是一个相当不错的选择。由于铝具有密度小，延展性
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/2/18/133423.html2011/2/18 13:40:00
结，制成具有强度及密度之成品。其优点为可将高导热之铜粉末直接一体成型，成为高效能之散热片，适用于高发热量及受空间限制之电子产品上，其缺点为原料成本贵及产品良率较低，多应用于有较高利润
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/2/18/133428.html2011/2/18 13:52:00
此三端双向可控硅触发延迟和光密度之间不存在线性关系。通过用查找表将所需的光密度转换成合适的触发角，可以轻松解决这个问题。 如果你想通过光电池或红外传感器控制电路，则最好的办
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133813.html2011/2/19 23:10:00
式。可以选用74ls273这样一类锁存芯片，采用首尾相连的方式。这种方式虽然对印刷线路扳的质量要求高，密度大，增加了布线的难度，但目前的制板技术和采用smd贴片元件，完全可以克服。
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133825.html2011/2/19 23:17:00
比fpga，工作电压3.3v，内核电压1.5v。采用0.13μm工艺技术，全铜sram工艺，其密度为5980个逻辑单元，包含20个128×36位的ram块（m4k模块），总的ram空
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133850.html2011/2/19 23:30:00
获得的低位错密度的厚膜与衬底分离，从而成为体单晶 gan晶片的替代品，用作采用其他方法进行同质外延生长的衬底。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚，反应气体对设备具有腐蚀性，影响ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
