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压高，效率会高点。对于后者，可以尝试以下几个方面：a、将最小电流设置的再小点；b、布线干净点，特别是sense这个关键路径；c、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感；D、加rc低
http://blog.alighting.cn/tinking/archive/2010/9/13/96605.html2010/9/13 16:33:00
国ge中国合作伙伴 北京人民大会堂选用照明产品 美国“未来之家”选用leD照明产品 雪莱特主营 节能灯（2u、3u、半螺、全螺、插拔、环形管、2D管、台灯管、直流、普
http://blog.alighting.cn/sunmulight/archive/2010/9/14/96789.html2010/9/14 11:29:00
8 76×60 0.4-0.63 ≥65 ≥37 ≤78 yt23D 24 668 70×70 0.4-0.63 ≥65 ≥31 ≤67 yt24 24 678 70×70 0
http://blog.alighting.cn/dongyagk200910/archive/2010/9/26/99764.html2010/9/26 14:25:00
构：广西科文招标有限公司地址：南宁市民族大道141号中鼎万象东方D座5层邮编：530001联系人：杨小姐电话：0775-5902818传真：0775-5906965 来源：中国招标采
http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2010/10/8/103134.html2010/10/8 11:25:00
.0v之间。对于同种颜色的leD，其正向压降和光强也不是完全一致的。如下表： leD 型号：5 4hca 发光颜色 外观颜色 波长 λD(nm) 正向电压vf 亮度iv(mc
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114809.html2010/11/17 22:45:00
展会时间：2011年4月14-4月17日 展会地点：土耳其伊斯坦布尔展览中心 主办单位：ntsr展览服务公司 赞助企业： phılıps，osram，kengo，ee
http://blog.alighting.cn/selina88888/archive/2010/12/6/118413.html2010/12/6 10:14:00
ω （6-1） 式中φ的单位为流明，iv的单位即是cD，Dω是单位立体角，单位为度。 一个超亮leD芯片的法向光强一般在30—120mcD之间，封装成器件后， 其法向光强通常要大
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120381.html2010/12/13 14:28:00
行了大力报道，更进一步提高了展会影响力。 展位面积最大的参展商以及赞助商有：siemens, gulf eternit, eta ascon, abb, areva-t&
http://blog.alighting.cn/myl235235/archive/2010/12/16/121375.html2010/12/16 13:36:00
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http://blog.alighting.cn/longyubing/archive/2011/1/4/125678.html2011/1/4 13:10:00
例,可以用于大尺寸的背光源。 图3c示意图 图3D示意图 优势：（1）适用于任意大尺寸的显示屏。 （2） 薄型化。smD形式的leD封装的厚度可以做到0.7m
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127023.html2011/1/12 16:35:00
