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区。产业园计划投入巨资，每年新增leD项目3-5个。在南昌建设leD应用产品及产业集群，吸引全球半导体照明上下游配套产业在南昌集聚，建设成为有中国特色的leD与半导体照明基
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00
艺，高分子器件则采用旋转涂覆或喷墨工艺。目前国际上与oleD有关的专利已经超过1400份，其中最基本的专利有3项。小分子oleD的基本专利由美国koDak公司所有，高分子oleD专利
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00
: ag（10: 1），li:al (0.6%li) 合金电极，功函数分别为3.7ev和3.2ev。优点：提高器件量子效率和稳定性；能在有机膜上形成稳定坚固的金属薄膜。 c．层状阴极
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120521.html2010/12/13 22:52:00
阴极射线管基本上已被淘汰出局了。现在走进任何一家电子商店，你会看到成排的电视和电脑液晶显示器。即便是等离子显示器技术——先前被视作技术更佳、更具竞争力的对手，现在也受到了基于最
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120518.html2010/12/13 22:51:00
众所周知，hiD亮度会比普通卤素灯亮2至3倍，达到3200流明。而一般卤素灯色温通常在3200k-3800k之间，hiD氙气灯色温范围较大，通常在3000k-12000k之间甚
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120519.html2010/12/13 22:51:00
yag：ce（y3al5o12: ce）荧光粉早在20世纪60年代就已被研制出来，并且被应用于阴极射线飞点扫描管中（阴极射线荧光粉的牌号为p46），它主要是利用该荧光粉的超短余
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120516.html2010/12/13 22:50:00
用单位是mcD，即毫坎德拉。数值越高，说明发光强度越大，也就是越亮。这是选择leD灯带的重要指标，亮度要求越高的灯带价格越贵，这是因为高亮度的leD芯片价格偏贵。 3）leD数
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120514.html2010/12/13 22:49:00
对于制作leD芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和leD器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底： ·蓝宝石（al2o
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
对延缓leD的光衰有利。 3．高功率因素 功率因素是电网对负载的要求。一般70瓦以下的用电器，没有强制性指标。虽然功率不大的单个用电器功率因素低一点对电网的影响不大，但晚上大家点
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120509.html2010/12/13 22:45:00
5nm。在可见光的光谱中是没有白色光的，因为白光不是单色光，而是由多种单色光合成的复合光，正如太阳光是由七种单色光合成的白色光，而彩色电视机中的白色光也是由三基色红、绿、蓝合成。由
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