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利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
一份来自新世纪led有奖征稿活动的关于介绍《铝基板导热系数测试方法》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/4/17 11:09:25
一份关于介绍《led的散热技术》的讲义资料，现在分享给大家，欢迎大家下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130416/125724.htm2013/4/16 10:33:26
d的反向漏电也最小、光通量最大,随后绿光led的反向漏电增加较快且光通量衰减较快。把热退火效应和电应力下缺陷的产生分别看成正负加速因子,绿光led的负加速因子的增加速度比蓝光led
https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
各种电子传感器与led 灯具的奇妙结合，可以创新设计出n 款新颖的led 灯具、新奇的led 照明系统，为人类创造崭新的光世界。介绍光敏传感器、红外热释电传感器、颜色传感器与le
https://www.alighting.cn/resource/20130407/125760.htm2013/4/7 15:45:14
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
一份出自北京大学，关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学gan基led》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00
一份出自上海西怡新材料科技有限公司，作者是宣云遐/技术服务工程师，关于《led的不良情况分析》的讲义资料，现在分享给大家。
https://www.alighting.cn/resource/20130402/125781.htm2013/4/2 14:20:50
因可归结为芯片欧姆接触的退化及芯片材料中缺陷密度的提高。样品的热特性变化显示出各结构层热阻均明显增大,这是由散热通道上各层材料的老化及焊料层出现大面积空洞引起的。分析表明,高温老
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
