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江苏常熟新研发led用氮化物荧光粉首输美国

2017年10月9日,一批经江苏常熟检验检疫局检验合格的led用氮化物荧光粉顺利通关,输往美国。这是常熟地区首次出口led用氮化物荧光粉,为出口生产企业新开发的产品,目前常熟地

  https://www.alighting.cn/news/20171011/153059.htm2017/10/11 9:49:31

GaN基led研究的最新进展

简述了led的发展历史,讨论了国际上最新研究出的GaN基led的结构和工作原理,以及为改善GaN基led性能而采取的一些手段,同时也对这些方法的优缺点进行了分析,对led的老化机

  https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14

qinetiq订购mocvd生产氮化物功率器件

2007年11月27日,qinetiq向aixtron订购一台 6x2英寸ccs mocvd设备用于开发高性能应用的GaN器件,新mocvd设备将安装于qineti在英

  https://www.alighting.cn/news/20071128/117968.htm2007/11/28 0:00:00

aixtron新一代mocvd反应炉已达生产力目标

巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化(GaN)沉淀,产量超过前一代系统的1倍,氮化/氮化(inGaN)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况

  https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00

bluglass新GaN制备工艺实现成本节约

bluglass委托的独立公司-williams & kelly (wwk)对使用rpcvd(遥控等离子化学气相沉积)在玻璃衬底上沉积的GaN led与mocvd法制备的led进

  https://www.alighting.cn/resource/20070411/128490.htm2007/4/11 0:00:00

光通量提高至约1.4倍的光子晶体GaN类led

阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42%的GaN类led,并在“alps show 2008”(2008年9月25~26日)上展出。发光波长为510.7n

  https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00

乾照光电与武汉大学共同开发硅基高功率GaN led

乾照光电和武汉大学研究人员表示,他们在4英寸p型硅衬底上开发出高功率,可靠的基于GaN的垂直led(vled)。他们使用具有sio2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此

  https://www.alighting.cn/news/20191220/165785.htm2019/12/20 9:23:05

led芯片供不应求,广募集36亿积极扩产

受惠于led tv热卖,蓝光led大量缺货,led外延厂广光电(8199)产能持续满载,10月营收2.95亿元新台币,年同期成长74.71 %,续创历史新高。为因应市场快速成

  https://www.alighting.cn/news/20091111/95094.htm2009/11/11 0:00:00

广营收2010年q1佳 规划2010上半年送件申请上市

受惠外延缺货订单满载,台湾的兴柜led厂广(8199)营收逐季度攀高可期,该公司规划要在2010上半年送件申请上市。广3月营收达2.99亿元,年成长181.49%,创下单月新

  https://www.alighting.cn/news/20100426/116957.htm2010/4/26 0:00:00

GaN同质外延和竖直结构大功率led

北京大学的张国义整理的关于《GaN同质外延和竖直结构大功率led》的技术资料,分享给大家。

  https://www.alighting.cn/resource/20130226/126001.htm2013/2/26 11:28:48

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