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2007年4月24日，日立电线株式会社（hitachi cable）确认成功开发产制出直径3英寸的GaN衬底，对于led产业将有正面助益。
https://www.alighting.cn/news/20070426/106320.htm2007/4/26 0:00:00
台湾地区发光二极管（led）的上游外延厂商─广镓光电，跨入led照明和红光led生产领域，朝全彩化led厂的目标迈进；广镓董事长陈进财6日表示，广镓中科厂近期完工后，led月产
https://www.alighting.cn/news/20090107/117264.htm2009/1/7 0:00:00
6月30日，广镓发言人程小慧表示，广镓(8199)将投资200万美元(约新台币6,600万)与韩国首尔半导体(seoul semiconductor,ssc)及子公司seou
https://www.alighting.cn/news/20090701/95499.htm2009/7/1 0:00:00
根据richard stevenson的报道，目前只有少数公司生产GaN衬底，价格昂贵，很难批量生产。
https://www.alighting.cn/resource/20040714/128409.htm2004/7/14 0:00:00
2007年3月19日，澳大利亚bluglass公司声称观察到玻璃衬底GaN led的短暂发光。
https://www.alighting.cn/resource/20070320/128486.htm2007/3/20 0:00:00
简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的GaN基led的结构和工作原理，以及为改善GaN基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
2017年10月9日，一批经江苏常熟检验检疫局检验合格的led用氮化物荧光粉顺利通关，输往美国。这是常熟地区首次出口led用氮化物荧光粉，为出口生产企业新开发的产品，目前常熟地
https://www.alighting.cn/news/20171011/153059.htm2017/10/11 9:49:31
2007年11月27日，qinetiq向aixtron订购一台 6x2英寸ccs mocvd设备用于开发高性能应用的GaN器件，新mocvd设备将安装于qineti在英
https://www.alighting.cn/news/20071128/117968.htm2007/11/28 0:00:00
巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(GaN)沉淀，产量超过前一代系统的1倍，氮化镓/氮化铟镓(inGaN)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况
https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00
bluglass委托的独立公司-williams & kelly (wwk)对使用rpcvd（遥控等离子化学气相沉积）在玻璃衬底上沉积的GaN led与mocvd法制备的led进
https://www.alighting.cn/resource/20070411/128490.htm2007/4/11 0:00:00
