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据日媒报道，日本东北大学与罗姆将zno（氧化锌）类紫外led的发光强度提高到了100μw，为原来产品的1万倍。这一发光强度是inGaN与GaN类紫外led的约110倍。
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180479.html2011/5/27 22:40:00
汽相晶圆(hvpe)技术采用这种技术可以快速生长出低位错密度的厚膜,可以用做采用其它方法进行同质晶圆生长的衬底。并且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvp
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
修二目前在美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校（ucsb）任教授一职。ucsb对于中村开发的GaN基半导体光器件表示，“这是在过去30年半导体材料科学领域中，最为重要的成就之一”。其
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2014/10/9/358745.html2014/10/9 16:35:03
是采用特殊的材料(例如氮化镓)制成。所以它的伏安特性的温度特性也不同于一般二极管，而是要明显大于一般二极管。例如一般二极管的伏安特性的温度特性为-2mv/°c，但是cree公
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2009/10/21/7207.html2009/10/21 8:27:00
明。《意见》则进一步明确了我国led照明节能产业的重点发展领域：一是技术与装备。支持mocvd装备、新型衬底、高纯mo源(金属有机源)等关键设备与材料的研发;开展氮化镓材料、ole
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/9/19/98266.html2010/9/19 21:39:00
0亿元，有些企业的产值也达到10亿元，分布在上中下游产业链上的企业有300多家，其中氮化镓蓝、绿、白发光二极管芯片及相关产品，蓝宝石衬底晶体生产，半导体照明项目已经达到国内先进水
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/13/120436.html2010/12/13 16:22:00
值已超过50亿元，有些企业的产值也达到10亿元，分布在上中下游产业链上的企业有300多家，其中氮化镓蓝、绿、白发光二极管芯片及相关产品，蓝宝石衬底晶体生产，半导体照明项目已经达到国
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126737.html2011/1/9 19:54:00
灯也不适用于视频拍摄的用途。庆幸的是，led制造商已经着手通过采用如氮化铟镓(inGaN)等新材料来提升功率led的光输出。 图1：基于ncp5005的电感式led驱动电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134132.html2011/2/20 23:00:00
片的发展 目前,led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化镓等新材料。无论是面向重点照明和整体照明的高功
http://blog.alighting.cn/szwdkgroup/archive/2011/4/1/146127.html2011/4/1 22:46:00
自从1968年第一批led开始进入市场以来,至今已有30多年。随着新材料的开发和工艺的改进，led趋于高亮化和全色化。氮化镓基底的蓝色led的出现，更是扩展了led的应用领域。目
http://blog.alighting.cn/biqeeen/archive/2011/4/14/165435.html2011/4/14 22:01:00
