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在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对GaN光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的GaN薄膜晶体质量及光学质量最优,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
为了提高GaN基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
采用温梯法生长了非极性GaN外延衬底r(012)面蓝宝石,使用化学机械抛光加工衬底表面,对衬底的结晶质量、光学性能和加工质量进行了研究.结果显示r面蓝宝石衬底基本性能参数如下
https://www.alighting.cn/resource/20110901/127216.htm2011/9/1 14:07:02
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57
采用熔融的koh溶液腐蚀蓝宝石衬底,获得具有三角形图案的腐蚀坑形貌,并对腐蚀坑的三角形形状给出了理论解释。在不同温度和不同的腐蚀时间进行对比结果分析,发现在280℃下腐蚀60 mi
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127222.htm2011/8/31 15:44:51
本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切割,
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20
介绍了led的技术发展过程,从材料的发展到波长的扩展;从GaN基蓝光led、荧光粉到白光led的实现;元件结构的改进对发光效率的提升;工艺的发展对单色功率的提升。同时对封装材料
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127231.htm2011/8/30 13:50:08
研究了在分子束外延制备的aln/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用x射线衍射(xrd)、透射电镜(tem)和原子力显微镜研究了aln模
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127233.htm2011/8/30 13:29:11
自从yag，氮化物，硅酸盐荧光粉导入半导体封装后，很多新生代的白光工程师对led所用的荧光粉产生了误读，led荧光粉在使用过程中并不存在有大功率小功率荧光粉之分。随着封装形式的不
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127301.htm2011/8/17 15:51:22
