站内搜索
韩国led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg积极研发GaN基板，封测厂也有意用硅取代环氧树脂(epoxy)，强化产品效能、延长使
https://www.alighting.cn/news/20141020/97272.htm2014/10/20 12:04:16
研究了低能电子束辐照(leebi)对大功率GaN 基蓝光led 性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对蓝光led 进行leebi，并对比未辐照的led，研究其电
https://www.alighting.cn/2014/10/20 11:16:19
南韩led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg innotek积极研发“氮化镓”(gallium nitride、GaN)基板，封测
https://www.alighting.cn/news/20141020/n807366498.htm2014/10/20 9:39:39
用氮化镓(GaN)制造的蓝光led成
https://www.alighting.cn/news/20141016/97313.htm2014/10/16 17:54:23
而本届诺贝尔物理学奖的核心是，开发出了蓝色led使用的氮化镓(GaN)晶体的制作技术。虽然该技术开发出来后对社会的影响极大，但不能说因为可以制作出这种晶体，物理学方面的理论研究就
https://www.alighting.cn/news/20141015/86800.htm2014/10/15 11:35:22
照灯光源等，红色led与蓝色led及绿色led相比，驱动电压和温度特性也有所不同。这是因为半导体材料不同，红色led采用alingap，而蓝色led和绿色led采用GaN类材料。驱
http://blog.alighting.cn/220048/archive/2014/10/15/359066.html2014/10/15 10:58:02
https://www.alighting.cn/news/20141015/n162266402.htm2014/10/15 9:44:13
a corporation）工作的39岁的中村修二终于发明了基于氮化镓和铟氮化镓的具有商业应用价值的蓝光led，从而引发了照明技术的新革命。凭借此项发明，他荣获2006年千禧科技
http://blog.alighting.cn/220048/archive/2014/10/13/358956.html2014/10/13 16:43:33
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
