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LED芯片之湿法表面粗化技术

LED芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的gan基LED芯片,亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对gan材料表面进行处理,对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片,对其光

  https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48

LED芯片制作不可不知的衬底知识

极(p极,n极),接下来就用激光切割外延片,然后百分百分捡,根据不同的电压,波长,亮度进行全自动化分检,也就是形成LED晶片(方

  https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22

台科学院研发“氮化LED照明技术” 为产业注入成长动能

全球能源逐渐短缺,各国地区不断发展替代能源,或是积极节能减碳,以寻求在有限资源里获得最大的能源使用,而台湾经济部透过科技专案,有效改善了LED散热效能,相信可带动相关产业升级、注

  https://www.alighting.cn/news/2014619/n261163107.htm2014/6/19 9:34:07

广规划2010上半年送件申请上市

受惠外延片缺货订单满载,广计划在2010上半年送件申请上市,并认为只要对公司最有利的发展,未来策略联盟或并购都不排除。

  https://www.alighting.cn/news/20100428/117258.htm2010/4/28 0:00:00

氧化对gan基LED透明电极接触特性的影响

研究了热退火对ingan/gan多量子阱LED的ni/au p gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au

  https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52

荷兰akzonobel公司建厂扩大LED前导材料产能

o项目组隶属于akzonobel公司功能化学品业务部,该部门生产铟基、基、铝基、锌基和镁基等的各种有机金属材料,它们是生产LED、太阳能电池以及其他半导体设备的关键前导材

  https://www.alighting.cn/news/20110629/115316.htm2011/6/29 11:51:33

日本开发出使用氧化基板的gan类LED元件

外媒报导,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化基板的gan类LED元件,预计该元件及氧化(ga2o3)基板可在2011年度末上市。该LED元件与以前使用蓝宝石基板的le

  https://www.alighting.cn/news/20110329/100897.htm2011/3/29 17:46:25

国星光电:国星半导体已申请200多篇氮化专利

近日,国星光电在深交所互动易平台上回答了投资者的问题时表示,硅基algan垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色micro-LED显示与超

  https://www.alighting.cn/news/20200226/166729.htm2020/2/26 10:53:56

三安光电70亿定增新股申请获证监会核准批复

6月4日,三安光电股份有限公司(以下简称“三安光电”)70亿定增新股申请获证监会核准批复!

  https://www.alighting.cn/news/20200605/169164.htm2020/6/5 14:25:03

safc hitech台湾新厂扩产高亮度LED前驱体产能

正申请iso14001安全与环境协议认证,将针对高亮度LED(hbLED)的需求上升,大幅增加其制程所使用的三甲基(tmg)、三乙基(teg)和叁甲基铟(tmi)的产

  https://www.alighting.cn/news/20120316/113753.htm2012/3/16 14:41:15

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