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pld方法制备的zno纳米结构及光学特性

的形貌、晶体结构和光学特性进行了观察。sem图像观察到zno纳米状结构具有一定的取向性;xrd测试在2θ=34.10°处观测到强的zno(002)衍射峰,证实zno纳米

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08

关于led阻、结温、冷光源的三个问题

分析解释关于led阻、结温、冷光源的三个问题,分享附件给大家,欢迎下载。

  https://www.alighting.cn/resource/20130326/125820.htm2013/3/26 10:50:10

高功率led基板发展趋势

余80至85%则转换成,若这些未适时排出至外界,那么将会使led晶粒界面温度过高而影响发光效率及发光寿

  https://www.alighting.cn/2013/10/16 10:32:18

大功率led的改善方法分析

讨论在现有结构、led 封装及沉材料导率等因素变化对于其最大功率的影响,寻找影响led 的关键因素。

  https://www.alighting.cn/resource/2013/3/20/133017_84.htm2013/3/20 13:30:17

提高led部件性能的方法探讨

在芯片、液晶面板、各种电子部件的配置等诸多看点中,让笔者感受到“真是下了工夫”的地方是措施。使用导管、片、均板等,让容易发的部件释放出量,每种产品使用的方法都

  https://www.alighting.cn/resource/20140320/124757.htm2014/3/20 11:42:36

芯片微通道换的数值模拟与分析

通过建立微通道水冷三维模型,运用ansys软件对影响性能的因素(进口水温、环境温度、进口流速)进行了模拟分析,得出了不同条件下芯片工作时的温度场分布,为后续微通道水

  https://www.alighting.cn/resource/20150316/123469.htm2015/3/16 15:08:54

基于板上封装技术的大功率led分析

本文针对目前封装大功率led芯片所采用的cob工艺进行分析,提出三种cob方法。一种把芯片直接键合在铝制上,另外两种分别把芯片键合在铝基板上和铝基板的印刷线路板上,制作三

  https://www.alighting.cn/2012/3/22 10:29:35

大功率led的设计

led 是个光电件,其工作过程中只有15%~25%的电能转换成光能,其余的电能几乎都转换成能,使led的温度升高。在大功率led 中,是个大问题。

  https://www.alighting.cn/resource/20130314/125887.htm2013/3/14 11:55:41

灯——2016神灯奖申报设计类

灯,为张曼2016神灯奖申报设计类产品。

  https://www.alighting.cn/pingce/20160414/139331.htm2016/4/14 9:31:12

设法减少阻抗、改善问题

容分别是:降低芯片到封装的阻抗、抑制封装至印刷电路基板的阻抗、提高芯片的顺畅性。  为了降低阻抗,许多国外led厂商将led芯片设置在铜与陶瓷材料制成的(hea

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143402.html2011/3/17 21:38:00

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