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白光LED的奈米结构控制技术

氮化的格子缺陷很多却能够产生高辉度,主要原因是藉由奈米 技术控制组件结构,使得组件的发光效率得以提高,进而获得高辉度。因此本文要深入探讨氮化发光的奥秘,与提高发光效率的方法。

  https://www.alighting.cn/resource/20060217/128920.htm2006/2/17 0:00:00

台湾首例氮化铝投资 LED成本降3成

台湾国立成功大学和金铝公司今天签约共同投资生产氮化铝,也是台湾第一个氮化铝产业;金铝公司表示,台湾氮化铝都是从外进口,自己产制后,氮化铝成本预计降低3成。

  https://www.alighting.cn/news/20091009/108314.htm2009/10/9 0:00:00

压电—光电效应,可使LED光电转化率提升约4.25倍

新装置内的氧化锌纳米线构成了p-n结的n,氮化薄膜则可作为其中的p。自由载子将被囚禁在这个界面区域内。压电—光电效应可在对设备施加0.093%压应力的情况下,使发光强度提升17

  https://www.alighting.cn/news/20111102/100248.htm2011/11/2 9:05:30

英业达投资LED业,以5.4亿ntb入股广取得近5%股权

英业达借广光电办理30亿新台币的现金增资之机,投资LED业,以5.4亿取得4.9%的股权。

  https://www.alighting.cn/news/20091126/118951.htm2009/11/26 0:00:00

tslc晶圆级LED氮化板封装独步台湾

台积电转投资LED照明公司台湾半导体照明(tslc)以高功率LED灯珠,独步台湾采用晶圆级LED氮化板封装制程,提供高性价比的解决方案。

  https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121665.htm2013/12/3 8:52:08

衬底LED缘何能获“国家科学技术发明一等奖”?

尘埃落定,2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓,“衬底高光效gan蓝色发光二极管”项目(简称衬底)摘得了此桂冠。十年磨一剑,衬底LED技术终于迈向了新征程,

  https://www.alighting.cn/news/20160108/136208.htm2016/1/8 12:04:02

芯片大小和电极位置对ganLED特性的影响

用同种ganLED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganLED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大

  https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45

日本多晶龙头tokuyama进军LED晶圆市场

据日经产业新闻30日报导,日本多晶制造龙头厂商tokuyama已研发出一款使用于LED板的大尺寸单晶晶圆,将正式进军LED用大尺寸晶圆市场。报导指出,tokuyama所研

  https://www.alighting.cn/news/20111201/114055.htm2011/12/1 11:18:52

百亿LED项目成泡沫 彩虹蓝光艰难重启能走多远?

曾几何时,蓝光也曾意气风发,合肥项目的成功投产也曾让所有蓝光人挺直腰杆,信心满满,誓言要成为LED行业内的龙头老大。

  https://www.alighting.cn/news/20140916/88126.htm2014/9/16 10:01:56

LED设备mocvd“国产意义大 投资需谨慎”

随着LED热潮涌起,现在有越来越多的中国研究机构和企业进入设备开发的领域,细数一下可能不下十家。但要注意的是,一家新进的公司由于没有足够的生产经验,开始时往往只能进行仿制,先不

  https://www.alighting.cn/news/20110217/90832.htm2011/2/17 14:54:15

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