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晶能光电硅衬led技术荣获国家技术发明一等奖

1月8日,国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行,由南昌大学、晶能光电(江西)有限公司、中节能晶和照明有限公司共同完成的“硅衬高光效氮化镓基蓝色发光二极管项目”荣获国家技

  https://www.alighting.cn/news/20160108/136207.htm2016/1/8 12:00:44

白皮书 | 硅衬led技术现状、应用情况及趋势展望

led产业在过去近10年的发展突飞猛进,led光源器件的性能呈台阶式上升且成本在不断下降,大部分光源领域基本上都被led所取代。那么,目前硅衬led技术、市场现状以及未来发展趋

  https://www.alighting.cn/news/20181227/159634.htm2018/12/27 10:15:52

晶能光电宣布硅衬大功率led通过10000小时lm80测试

5月21日,晶能光电宣布其硅衬大功率led芯片系列已经通过了10,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试,公司现可根据需要提供lm80 10,000小时测试数据。

  https://www.alighting.cn/news/2014522/n787062438.htm2014/5/22 12:02:41

晶能光电硅衬大功率led通过10000小时lm80测试

5月21日,晶能光电宣布其硅衬大功率led芯片系列已经通过了10,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试,公司现可根据需要提供lm80 10,000小时测试数据。

  https://www.alighting.cn/news/20140522/110824.htm2014/5/22 10:11:13

天通股份3.6亿投资led蓝宝石衬项目

天通股份公布了其2011年中报。同时,天通股份还宣布将要进行年产60万片4英寸led蓝宝石衬材料技改项目,并以1914.79 万元收购六安天盈电子科技有限公司(下简称“六安天

  https://www.alighting.cn/news/20110830/114713.htm2011/8/30 9:34:21

条形叉指n阱和p衬结的硅led设计及分析

采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬中而结合成sipn结led。观察了sile

  https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13

晶能光电:大尺寸硅衬氮化镓基led

讲。为让网友深入了解晶能光电发展近况以及未来战略布局,新世纪led网记者独家专访了晶能光电有限公司硅衬led研发副总裁孙钱博

  https://www.alighting.cn/news/20130531/85317.htm2013/5/31 14:12:14

si(001)衬上闪锌矿zno的制备与分析

同参数的高温退火后,这些梯形台柱将变小,形成梯形纳米环,或分解为较小的纳米柱及其团簇结构等。分析表明:zno混合多晶薄膜的形成,以及表面纳米台柱的演变,与si(001)衬、较低

  https://www.alighting.cn/resource/20111020/126988.htm2011/10/20 14:37:15

不同基板1w硅衬蓝光led老化性能研究

将硅(si)衬上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对

  https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00

led大功率不锈钢水灯外壳套件——2015神灯奖申报产品

ip68led大功率不锈钢水灯外壳套件,为佛山市南海顺展模具灯饰金属制品有限公司2015神灯奖申报产品。

  https://www.alighting.cn/pingce/20150311/83337.htm2015/3/11 17:55:23

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