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https://www.alighting.cn/resource/20160330/138600.htm2016/3/30 11:47:02
https://www.alighting.cn/resource/20190625/163288.htm2019/6/25 17:13:08
中国科学院的陈弘与其研究团队利用晶格松弛(lattice relaxation)的特性，来控制氮化镓/氮化铟镓(gan/ingan)量子阱中铟的沉淀(precipitatio
https://www.alighting.cn/resource/20090505/128690.htm2009/5/5 0:00:00
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(
https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22
研究了热退火对ingan/gan多量子阱led的ni/au p gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au p
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12
led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的gan基led芯片，亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对gan材料表面进行处理，对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片，对其光电
https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48
本文采用cu靶和al靶直流共溅射法制备出p型透明导电cu-al-o薄膜,用原子力显微镜(afm)、x射线衍射(xrd)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计等测试手段对沉积的薄膜进
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为gan的
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
ambipolardiffusion\[物]双极扩散.....
https://www.alighting.cn/resource/200727/V8703.htm2007/2/7 16:28:03
