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为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300?? 中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
图形化衬底(pss)技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷，在氮化物器件制备中得到了广泛的应用。但是由于蓝宝石具有稳定的化学和物理性质，使得很难进行刻蚀和图形化制作。
https://www.alighting.cn/2012/4/9 13:18:31
流线之间的隔离，这是多数led灯的安全需求。几乎所有直换式led灯泡都有一个大的铝散热片，形状要与设计相符，有很多鳍片扩展表面积。高亮度led发热高，必须将其散到周围空气中，以防过
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/6/10188_55.htm2012/4/6 10:18:08
影响良品率的因素较多，比如硅胶的粘度以及荧光粉的颗粒大小均匀度等等都有不同的影响，粘度过低的胶水搭配颗粒较大的荧光粉在生产过程中一致性难以得到控制，容易出现很多bin外品，会增加原
https://www.alighting.cn/resource/20120405/126629.htm2012/4/5 11:31:36
该文介绍了填谷式无源功率因数校正(pfc)电路的工作原理及其在基于离线式电源开关ic的led驱动器中的应用.
https://www.alighting.cn/resource/20120327/126642.htm2012/3/27 18:44:15
台湾弘大荧光粉大陆指定经销商，东莞市弘呈光电有限公司的李东平今日浅谈在微利时代如何提高白光smd封装良品率，有效降低生产成本
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/23/112832_55.htm2012/3/23 11:28:32
基led外延片(其主要结构包括：n-gan、量子阱和p-gan)。通过这种方式可以实现一次性生长具有不同结构的量子阱
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和gan存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新材料。在短短数年内，借助于包括芯片结构、表面粗化处理和多量子
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/13/15102_42.htm2012/3/13 15:10:02
容参数, 结合理论计算得到的各组样品热阻、热容参数, 试图将拟合值同实际封装结构中芯片衬底和固晶界面的热阻、热容进行匹配. 最后测量了工作条件下结温和焊点温度, 计算出器件热阻,并
https://www.alighting.cn/2012/3/12 13:13:30
