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gasb上外延inas_xsb_(1-x)材料的lp-mocvd研究

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39

gan薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征

采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)上,在氨气氛下热处理制备出gan薄膜.x射线衍射(xr

  https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10

gan led外延片微结构分析及性能研究

本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石上生长的gan基led外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了gan薄膜的晶格参

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52

al-n共掺杂zno电子结构和光学性质

以提高n在zno的固溶度。研究表明:n掺杂zno体系,由于n-2p和zn-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带发生位移,导致禁带宽带变窄。而al-n

  https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:02:55

氢化物气相外延自支撑gan制备技术研究进展

氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57

膜层厚度对蓝宝石上生长的ito薄膜性质的影响

采用磁控溅射的方法在蓝宝石上制备了氧化铟锡(ito)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经x射线衍射(xrd)测量,发现在蓝宝石上生长的ito薄膜呈

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23

蓝紫光ingan多量子阱激光器

在(0001)蓝宝石上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06

利用微球层提高有机发光二极管出光效率

采用自组装的方法(提拉法)在普通玻璃盖玻片上制备了聚苯乙烯微球层,对其进行简单的热处理可获得类似微透镜的结构。利用折射率匹配液将其耦合在常规oleds的出光面,研究了其对器

  https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29

提高led显示屏发光效率的几个技术因素

目前,国内大部分的外延芯片企业涉及到led显示屏的领域,显示屏领域成为国内led芯片企业的重要的应用终端,那么如何提高led显示屏的发光效率成为一个重要的课题。

  https://www.alighting.cn/resource/20110907/127181.htm2011/9/7 17:10:36

氧化处理的蓝宝石基片上沉积的zno/mgo多量子阱的结构及光学性质研究

、原子力显微镜、透射光谱以及光致发光光谱等表征技术,研究了zno/mgo多量子阱的结构、表面形貌和光致发光等特性.xrd以及扫描的结果表明多层膜样品具有高c轴择优取向并且与蓝宝石

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27

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