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正申请iso14001安全与环境协议认证，将针对高亮度LED（hbLED）的需求上升，大幅增加其制程所使用的三甲基镓（tmg）、三乙基镓（teg）和叁甲基铟（tmi）的产
https://www.alighting.cn/news/20120316/113753.htm2012/3/16 14:41:15
功表明azzurro的技术有能力做出‘1 bin’硅基氮化镓LED晶
https://www.alighting.cn/pingce/20130904/121716.htm2013/9/4 10:21:19
LED tv对LED芯片需求影响大增，各大厂牌预估2010年全球销售量从1,500万台到3,000万台，是2009年的五倍以上。晶电（2448）、璨圆（3016）、泰谷（333
https://www.alighting.cn/news/20090918/105761.htm2009/9/18 0:00:00
为LED基板材料的“高纯度氧化铝”年产能将可扩增至1,000吨，将达现行300吨的3倍以
https://www.alighting.cn/news/20110915/100169.htm2011/9/15 10:21:37
gan是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，gan具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下，gan晶体一般是六方纤锌矿结构
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00
德国欧司朗公司(osram)光电半导体研发人员地制造出高性能蓝白光LED 原型硅芯片，氮化镓发光材料层被置于直径为150毫米硅晶圆基板上。这是首次成功利用硅晶圆基板取代蓝宝石基
https://www.alighting.cn/pingce/20120209/122671.htm2012/2/9 10:17:18
颗，2009年已造成高阶蓝光LED芯片缺货，四大LED芯片厂晶电、璨圆、泰谷和广镓同步扩
https://www.alighting.cn/news/20100104/107508.htm2010/1/4 0:00:00
此前，氮化镓只能用于(111)-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(cmos)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由(11
https://www.alighting.cn/news/20111009/100275.htm2011/10/9 10:09:29
据日本轻金属(nipponlightmetal)消息，该公司投资约23亿日元于旗下清水工厂所进行的增产工程已正式完工，并于2011年10月投产，届时作为LED基板材料的“高纯度氧
https://www.alighting.cn/news/20120426/113616.htm2012/4/26 9:58:23
美国化工业龙头陶氏化学(dow chemical co.)子公司dow electronic materials宣布，其位于南韩天安(cheonan)的三甲基镓(tmg)新厂已
https://www.alighting.cn/news/20101105/117936.htm2010/11/5 9:56:31
