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【特约】隔离型高功率因数led驱动器应用

功率led通用照明应用隔离型高功率因数led驱动器方案

  https://www.alighting.cn/resource/2012/5/29/102112_97.htm2012/5/29 10:21:12

cree推出小功率led照明产品

led 照明领域的市场领先者cree公司日前宣布推出全新xlamp ml-e led,从而提升了小功率led 器件的性能标准。这款照明级 xlamp ml-e 为照明设计人员提

  https://www.alighting.cn/pingce/20100925/123247.htm2010/9/25 9:31:35

宝贝电推出中功率led泛

与标准的投灯相比,宝贝电led泛灯性价比非常的高,在外观设计上,采用了经过氧化处理的铝合金及pc透明灯罩,外形设计美观高档;目前宝贝电这款新推出的泛功率囊括55

  https://www.alighting.cn/news/2013422/n122050881.htm2013/4/22 15:25:07

nist开发的纳米线led强度提升近5倍

据悉,来自美国国家标准与技术研究所(nist)的纳米线开发科学家成功开发出了紫外发二极管(led),由于采用了特殊类型的外壳,其发强度是基于更简单外壳的同类led产生的

  https://www.alighting.cn/pingce/20190328/161136.htm2019/3/28 9:54:40

旭明发布高功率至低功率uv led 全系列产品

旭明电最近宣布uv新产品:10 w 高功率n9 系列及二款0.17w 及0.5 w 的p50n中低功率uv led,二系列新产品同时拥有旭明垂直式结构专利的优点,由其在指向性

  https://www.alighting.cn/pingce/2013617/n082652786.htm2013/6/17 17:16:27

提高取效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发通量的最大障碍仍是芯片的取效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233183.html2011/8/20 0:25:00

提高取效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发通量的最大障碍仍是芯片的取效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258469.html2011/12/19 10:54:58

提高取效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发通量的最大障碍仍是芯片的取效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51

提高取效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发通量的最大障碍仍是芯片的取效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56

提高取效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发通量的最大障碍仍是芯片的取效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22

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