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ngk(日本)开发出GaN衬底的uhb - LED

计,其氮化镓晶圆发出了前所未有高水平,高效率的冷光,这意味着uhb - LED也可适用于商用投影机和汽车大灯,甚至适用于混合动力汽车和电动汽车使用的功率器

  https://www.alighting.cn/news/20111214/99660.htm2011/12/14 10:16:15

晶能光电新一代硅大功率LED芯片问世

2012年6月12日,晶能光电(江西)有限公司新一代硅大功率LED芯片产品发布会在广州香格里拉大酒店举行。晶能光电此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *5

  https://www.alighting.cn/news/2012614/n859040541.htm2012/6/14 1:55:12

高亮度LED的发展及应用

源制造商正在加强和LED制造商的联合。超高亮度LED主要指algainp的红、橙、黄色LEDGaN蓝、绿、紫和紫外线le

  https://www.alighting.cn/resource/20110104/128108.htm2011/1/4 10:59:03

管型LED电光源的研究

本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型LED的研究,这种管型LED结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导

  https://www.alighting.cn/resource/2011/1/6/101442_72.htm2011/1/6 10:14:42

高温预生长对图形化蓝宝石衬底GaN 薄膜质量的提高

在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光LED 样品。

  https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44

芯片大小和电极位置对GaNLED特性的影响

摘 要:用同种ganLED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganLED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对GaNLED特性的影响

摘 要:用同种ganLED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganLED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对GaNLED特性的影响

摘 要:用同种ganLED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganLED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对GaNLED特性的影响

摘 要:用同种ganLED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganLED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对GaNLED特性的影响

摘 要:用同种ganLED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganLED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

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