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氮化镓良率低,难撼动蓝宝石板主流地位

氮化镓(GaN-on-si)发光二极体(led)发展正面临严峻考验。仅管普瑞(bridgelux)、lattice power已双双宣布将导入矽氮化镓led量产,然囿于矽

  https://www.alighting.cn/news/20120702/89171.htm2012/7/2 10:04:58

中科院物理所独创硅氧化锌单晶材料及光电子器件技术

型n-zno/i-mgo/p-si双异质结p-i-n紫外探测器结构,研制成功sizno可见盲紫外探测器原理型器件。其独创的硅氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创

  https://www.alighting.cn/resource/20090610/128702.htm2009/6/10 0:00:00

希纳乌公寓照明设计欣赏

这所公寓位于摩尔多瓦的首都希纳乌。由 grosu 艺术工作室设计完成

  https://www.alighting.cn/case/2012/3/31/145452_73.htm2012/3/31 14:54:52

【专业术语】片|衬底(substrate)

led和半导体激光器等的发光部分的半导体层,是在片上生长结晶而成。

  https://www.alighting.cn/resource/20110111/128087.htm2011/1/11 16:29:26

si光发射材料的探索

由于si光发射材料具有与先进的si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (oeic)工程应用的首选材料。但由于体材料si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的

  https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14

激光诱导下GaN的p型掺杂研究

采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn,利用脉冲激光辐照样品,使得zn掺入GaN中,得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试,得

  https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31

激光诱导下GaN的p型掺杂研究

采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn,利用脉冲激光辐照样品,使得zn掺入GaN中,得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试,得

  https://www.alighting.cn/news/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31

GaN非极性/半极性led与激光二极管新进展

ucsb 的shuji nakamura教授在题为《非极性/半极性led和ld的发展现状》的报告中介绍了极性c面led和用ammonothermal方法生长GaN块等相关问题。

  https://www.alighting.cn/news/20080726/103963.htm2008/7/26 0:00:00

深圳京100大厦亮化及室内照明工程详解

100大厦位于广东省深圳市罗湖区,是深圳房企京集团旗下的世界级地标,也是中国民营地产企业投资建造的最高建筑,楼高441.8米,共100层,保持了多项中国记录、世界纪录,并

  https://www.alighting.cn/case/20160901/42822.htm2016/9/1 13:41:23

卡内梅隆大学研发可识别环境的智能led车灯

近日,卡内梅隆大学著名的机器人研究所宣布,其研究人员在英特尔和福特公司的资金支持下,设计了一种全新的智能led车头灯。

  https://www.alighting.cn/pingce/20140912/121456.htm2014/9/12 9:35:35

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