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解析高功率白光led的现状与改进

率、单颗功率各方面表现均有研发进展,实际上白光led仍存在发光均匀性、封装材料寿命等问题,尤其在芯片散热的应用限制,则为开发led光源应用首要必须改善的问题..

  https://www.alighting.cn/resource/20130917/125317.htm2013/9/17 10:07:54

led芯片制作

《led芯片制作》分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/resource/20130916/125323.htm2013/9/16 13:28:28

深度分析t8 led灯管耐压测试死灯珠原因

t8led灯管在制造完成准备老化前要不要加入耐压测试环节?有些厂家跳过这环节,直接老化出货了。为什么?答案就是耐压测试会死灯珠。再把概念扩大,整个led行业有相当数量人员认为,耐压

  https://www.alighting.cn/2013/9/13 11:49:13

led封装领域用陶瓷基板现状与发展简要分析

陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性,广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模组等领域。本文简要介绍了目前陶瓷基板的现状与以后的发展。

  https://www.alighting.cn/resource/20130911/125336.htm2013/9/11 13:53:32

基于zigbee light link协议的led灯控方案

该方案基于ti cc2530芯片研发,它使用智能手机app界面操控,同时支持苹果ios及android移动设备控制,通过智能手机、平板电脑进行多组灯控制、场景设置、亮度调节、rg

  https://www.alighting.cn/2013/9/5 10:27:04

牺牲ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响

本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底GaN基led薄膜p型欧姆接触的影响,在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。

  https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34

led半导体照明外延及芯片技术的最新进展

自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来,基于GaN基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止,商品化白

  https://www.alighting.cn/resource/20130830/125359.htm2013/8/30 17:48:20

牺牲ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

白光led照明技术的研究

本书内容包括白光led发光原理、白光led照明的研发与展望、白光led照明的种类及其特征、白光led照明的关键技术、外延基板与封装基板、白光led照明的颜色与色彩评价技术、白

  https://www.alighting.cn/resource/2013/8/28/141949_84.htm2013/8/28 14:19:49

cob封装中芯片在基板不同位置的残余应力

利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近

  https://www.alighting.cn/resource/20130826/125380.htm2013/8/26 14:04:58

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