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本周，电气和电子工程师协会(ieee)在美国华盛顿举行了国际电子元件大会(iedm)，会上，来自日本大阪的松下集团发布了一款超高压氮化镓(GaN)功率晶体管，其崩溃电压超
https://www.alighting.cn/news/20071218/118185.htm2007/12/18 0:00:00
新型dfn2020-3 (sot1061) 封装非常适合在移动设备、车载设备、工业设备和家用电器中的通用功率敏感型应用，与常规的sot89封装相比，在维持高达2a的卓越电气性能的同
https://www.alighting.cn/news/20111201/114056.htm2011/12/1 11:05:27
本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高GaN 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长GaN 薄
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
国和国外专利，涵盖了hemt(高电子迁移率场效晶体管)和GaN氮化镓肖特基二极管的诸多创
https://www.alighting.cn/news/20180416/156413.htm2018/4/16 10:41:13
所有无机铯铅卤化钙钛矿半导体由于其低阈值、高量子效率和低成本等独特的性质，对于纳米激光器、发光二极管（led）和太阳能电池等都具有巨大的应用潜力。
https://www.alighting.cn/pingce/20190402/161452.htm2019/4/2 9:55:46
arc energy最初的愿景就是开发一种创新技术来解决全球的能源问题。通过大幅降低led的生产成本，我们独一无二的方案让这一愿景得以实现，从而让全球消费者受益。我们已经交付了第1
https://www.alighting.cn/news/20110713/116286.htm2011/7/13 9:56:24
该公司高层表示，绿能事业将是公司未来10年开发的重要部分。联景除布局太阳能产业外，led方面也已经顺利生产出第1根蓝宝石长晶。
https://www.alighting.cn/news/20100919/117197.htm2010/9/19 9:41:49
山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径sic单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径3英寸的sic单晶；2英寸半绝缘sic单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)”的水平。
https://www.alighting.cn/news/2007516/V5083.htm2007/5/16 16:06:33
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
近日，三星尖端技术研究所和首尔大学宣布开发出了第一个由非晶玻璃衬底制造的发光二极管。
https://www.alighting.cn/news/20111212/99724.htm2011/12/12 15:30:51
