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三大半导体制造商将展出450mm晶圆

根据外媒报道,全球顶尖半导体制造商三星电子、ibm、globalfoundries将在3月14日在圣克拉拉举办“2012年通用平台技术论坛”。而该论坛的主题便是硅技术的未来。

  https://www.alighting.cn/news/20120220/115178.htm2012/2/20 10:16:32

【alls视频】王成新:大功率GaN led技术

士发表了《大功率GaN led技术》的专题演

  https://www.alighting.cn/news/20110808/108974.htm2011/8/8 19:57:21

shemei开发出了一种在硅晶圆上生成的蓝光led

日本shimei semiconductor开发出了一种在硅晶圆上生成的蓝光led,并计划明年4月上市。该公司声称,把硅晶圆作为GaN外延附生的基板,可以显著降低成本、简化le

  https://www.alighting.cn/news/2007210/V7950.htm2007/2/10 13:28:59

基于si衬底的功率型GaN基led制造技术

1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来,led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电

  https://www.alighting.cn/resource/20101124/128212.htm2010/11/24 17:57:30

转移基板材质对si衬底GaN基led芯片性能的影响

在si衬底上生长了GaN基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板GaN基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大

  https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39

香港科技大学李世玮教授:《先进led晶圆级封装技术》

心”的李世玮主任发表了《先进led晶圆级封装技术》报告的专题演

  https://www.alighting.cn/news/20110612/109067.htm2011/6/12 18:12:27

硅衬底GaN基ledn极性n型欧姆接触研究

在si衬底GaN基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。

  https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32

硅衬底GaN基大功率led芯片荣获 “阿拉丁神灯奖”

在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上,晶能光电硅衬底GaN基大功率led芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的led芯片产品。

  https://www.alighting.cn/news/20140620/110996.htm2014/6/20 13:21:24

华灿光电王江波:高效GaN基led的研究进展

2016阿拉丁照明论坛 “光源器件技术发展与市场化” 技术峰会上,华灿光电股份有限公司副总裁王江波做了主题为“高效GaN基led的研究进展”的精彩演讲。

  https://www.alighting.cn/zhanlan/20160610/141024.htm2016/6/10 16:17:39

GaN基多量子阱蓝色发光二极管实验与理论分析

位较好的符合,表明了在多量子阱发光二极管中由于inn和GaN相分离而形成的富in类量子点结构,主导着inGaN基发光二极管发光波长,体现了inGaN基发光二极管量子点发光的本质。同

  https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36

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