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采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57
采用熔融的koh溶液腐蚀蓝宝石衬底,获得具有三角形图案的腐蚀坑形貌,并对腐蚀坑的三角形形状给出了理论解释。在不同温度和不同的腐蚀时间进行对比结果分析,发现在280℃下腐蚀60 mi
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127222.htm2011/8/31 15:44:51
介绍了led的技术发展过程,从材料的发展到波长的扩展;从GaN基蓝光led、荧光粉到白光led的实现;元件结构的改进对发光效率的提升;工艺的发展对单色功率的提升。同时对封装材料
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127231.htm2011/8/30 13:50:08
研究了在分子束外延制备的aln/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用x射线衍射(xrd)、透射电镜(tem)和原子力显微镜研究了aln模
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127233.htm2011/8/30 13:29:11
led探针台使用面阵相机对晶圆上的管芯图像数据采集时,两屏之间存在重叠区域,造成大量重复图像数据[1]。为了消除重复的采集数据以及对处理后的数据进行排序,对两种数据处理方法进行比
https://www.alighting.cn/resource/20110823/127265.htm2011/8/23 13:20:57
激光加工是非接触式加工，作为传统机械锯片切割的替代工艺，激光划片切口非常小，聚焦后的激光微细光斑作用的晶圆表面迅速气化材料，在led有源区之间制造非常细小的切口，从而能够在有限面
https://www.alighting.cn/resource/20110819/127293.htm2011/8/19 14:31:30
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的GaN单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的GaN薄膜的 ( 0 0 0 2 )
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
本文档为台湾新世纪green inGaN/GaN led chipl0(9×11)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127366.htm2011/7/29 15:08:48
本文档为台湾新世纪green inGaN/GaN led chip e0(8×10)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127367.htm2011/7/29 14:55:59
