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德国mocvd设备供货商aixtron ag于日前接获上海龙德芯光电公司的设备订单，预计于2010年q2出货。龙德芯光电将利用aixtron mocvd设备生产GaN高亮度le
https://www.alighting.cn/news/20100528/105797.htm2010/5/28 0:00:00
“十二五”将是我国半导体照明技术创新与产业发展的关键时期，建议做好3项工作：一是加强系统集成应用，开发高可靠和低成本的规格化、标准化普通照明产品，推动芯片的国产化，并培育普通照明应
https://www.alighting.cn/news/20100510/93967.htm2010/5/10 0:00:00
led迅猛发展的今天，人们都很关注这个产业到底将给中国带来怎样的变化。在近期会议中，唐国庆认为led将从三个方面改变中国：政府通过奥运会、世博会等政府工程和指导文件改变中国；市场需
https://www.alighting.cn/news/20100406/91503.htm2010/4/6 0:00:00
中村修二教授1993年在日本日亚化工(株)就职期间，开发了被认为是20世纪不可能实现的高亮度蓝色led，世界上最早以GaN base成功实现了量产和开发，被称为led行业的爱迪生。
https://www.alighting.cn/news/201042/V23312.htm2010/4/2 10:26:53
中村修二教授1993年在日本日亚化工（株）就职期间，开发了被认为是20世纪不可能实现的高亮度蓝色led，世界上最早以GaN base成功实现了量产和开发，被称为led行业的爱迪生。
https://www.alighting.cn/news/20100324/104811.htm2010/3/24 0:00:00
中村修二教授1993年在日本日亚化工（株）就职期间，开发了被认为是20世纪不可能实现的高亮度蓝色led，世界上最早以GaN base成功实现了量产和开发，被称为led行业的爱迪
https://www.alighting.cn/news/20100324/108216.htm2010/3/24 0:00:00
丰田中央研究所和三垦电气分别利用以称为“naflux法”的结晶成长法制成的GaN底板，试制出了GaN类肖特基势垒二极管(sbd)。
https://www.alighting.cn/news/201033/V22971.htm2010/3/3 8:40:02
巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(GaN)沉淀，产量超过前一代系统的1倍，氮化镓/氮化铟镓(inGaN)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况
https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00
veeco推出turbodisc? k465i? ，一款用于生产高亮度led（hb led）的氮化镓(GaN) 金属有机化学气相沉淀(mocvd)设备，日前经过led产业
https://www.alighting.cn/news/20100120/119367.htm2010/1/20 0:00:00
1998年发白光的led开发成功。这种led是将GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。
https://www.alighting.cn/news/2010119/V22621.htm2010/1/19 9:09:36
