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硅tft的N型迁移率明显大于其p型迁移
https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:15:36
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
本文通过使用a1N和al203这两种陶瓷基板作为大功率led的封装基板，主要研究了陶瓷基板作为封装基板在在改善散热方面的优势、基板工作时温度、光效和电流的关系，并和铝基覆铜板作
https://www.alighting.cn/2013/7/26 13:43:47
采用脉冲激光沉积技术在si/蓝宝石衬底上制备了zNo薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900℃)及退火气氛(N2,o2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:06:49
各种电子传感器与led 灯具的奇妙结合，可以创新设计出N 款新颖的led 灯具、新奇的led 照明系统，为人类创造崭新的光世界。介绍光敏传感器、红外热释电传感器、颜色传感器与le
https://www.alighting.cn/resource/20130407/125760.htm2013/4/7 15:45:14
由镓(ga)和氮(N)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365Nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gaN主要应用于光元件。通过混合铟(iN)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
良品的外延片就要开始做电极(p极，N极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方片)。然后还要进行目测，
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）a为正极，以N型半导体b为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
https://www.alighting.cn/resource/20110704/127473.htm2011/7/4 11:16:05
小关系不大，但与电极的位置有关，p焊线电极远离N电极的芯片20ma下的光输出功率高，正向压降也
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
