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导读：大功率led器件的生产，需要制备合适的大功率led芯片，本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。
https://www.alighting.cn/resource/2012/5/20/214917_67.htm2012/5/20 21:49:17
目前led的发光效率还是比较低，从而引起结温升高，寿命降低。为了降低结温以提高寿命就必须十分重视散热的问题。
https://www.alighting.cn/2013/3/22 15:27:05
本文为2012亚洲led高峰论坛上晶能光电(江西)有限公司赵汉民先生所做之《硅衬底大功率led芯片的产业化及应用》的精彩演讲，本文主要围绕着硅衬底的led技术展开，到硅衬底led的
https://www.alighting.cn/2012/6/26 15:44:39
本文设计的led主要包括：封装基板、蓝光led芯片、红光led芯片和黄绿色荧光粉，封装基板由铝基覆铜板和铝板组成良好的封装工艺是决定器件性能、可靠性和寿命的关键。
https://www.alighting.cn/resource/20140822/124329.htm2014/8/22 10:01:46
板上芯片封装(cob)，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。
https://www.alighting.cn/resource/20110530/127533.htm2011/5/30 11:17:39
本文从产品、营销、运营以及发展潜力四个方面对中国led 照明企业进行了竞争力分析。在产品竞争力上，中国led 照明产业产品线布局完善，在关键的光效指标、荧光粉专利以及上游的si
https://www.alighting.cn/resource/2012/10/8/145159_98.htm2012/10/8 14:51:59
从1907年发光二极管的发明到1995年蓝光led的成功开发，半导体照明经历了曲折的过程。其中包括在蓝光led研发过程中，碳化矽（SiC）与氮化镓（gan）“阵营之争”。led经
https://www.alighting.cn/resource/20071017/V12853.htm2007/10/17 14:13:49
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、si)上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56
与其他两种衬底的led 芯片相比,以SiC 为衬底的led 芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下
https://www.alighting.cn/resource/20141201/123990.htm2014/12/1 11:45:37
目前市场上led用到的衬底材料有蓝宝石、碳化矽SiC、矽si、氧化锌 zno、 以及氮化镓gan，中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石，而就全球范围来看，蓝宝石衬底的led市场份
https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:09:56
