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益。如果我们用硅二极管产业的发展的历史做蓝本,led 芯片制造业一旦进入成熟期,未来其盈利水平将向行业均值靠拢。 led封装行业未来变动较大 半导体封装技术正发生着快速变化,随着晶圆
http://blog.alighting.cn/smartlight/archive/2014/9/15/357798.html2014/9/15 11:23:40
本报讯（通讯员 汤圆）全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司近日宣布，其新一代超高压0.5微米700vbcd系列工艺平台已经成功实现量产，良率超过98%，达到国
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2015/4/28/368707.html2015/4/28 14:45:07
色 led， 发光效率可达到了25lm/w。目前，这类led的发光效率正以每年10%-20%的速度提高。 美国的gree公司 采用热导率较高的SiC衬底生产ingan 蓝色和绿
http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8187.html2007/11/26 19:28:00
d。 1923年科学家罗塞夫（lossewo.w.）发现半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体p－n结电致发光原理制成发光二极管是在60年代后期得以迅速发
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9226.html2008/10/30 17:51:00
明的需求分析,在以下技术领域将最有可能取得突破,带动产业进入又一波发展高潮。 mocvd设备工业化；高质量、低成本的SiC单晶生长；蓝宝石衬底上外延紫外led ；si衬
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21632.html2009/12/15 16:48:00
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21633.html2009/12/15 16:48:00
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21634.html2009/12/15 16:48:00
合led、大功率高亮度led，导热系数为：25.8 剪切强度为：14.7，为行业之最。 led芯片至封装体的热传导：采用胶体来把热量传导出去，对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电
http://blog.alighting.cn/ufuture/archive/2009/12/19/21822.html2009/12/19 11:59:00
則會成磊晶層彎曲或破裂，使發光二極體晶粒製程不易切割或曝光，造成產品良率下降。 目前發光二極體常用的基板有gaas基板、gap基板、藍寶石(sapphire)基板及碳化矽(si
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/27/46232.html2010/5/27 0:09:00
司在有氮化镓（gan）的碳化硅（SiC）方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比别的现有技术，材料及产品放热更
http://blog.alighting.cn/jiangjunpeng/archive/2010/8/23/92308.html2010/8/23 20:49:00
