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类是美国cree公司为代表的SiC衬底。传统的蓝宝石衬底gan芯片结构，电极刚好位于芯片的出光面。在这种结构中，小部分p-gan层和"发光"层被刻蚀，以便与下面的n-gan层形成电接
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
将SiC基板的端面倾斜放置，接着制作凹凸状电极，藉此改变光线的入射角，达到抑制光线反射的效果，该公司计划未来将组件上下反转进行flip chip连接，同时在发光层设置mirror使光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120563.html2010/12/13 23:08:00
led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和SiC两种）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
行选区刻蚀，一直深入到衬底。这样就形成了gan/缓冲层/衬底的柱状结构和沟槽交替 的形状。然后再进行gan外延片层的生长，此时生长的gan外延片层悬空于沟槽上方，是在原gan外延片
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气h2或氬气ar等惰性气体作为载体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。接下来是对led-pn结的两个电极进行加工，并对led毛
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
3） ·硅 (si) 碳化硅（SiC）[/url] 蓝宝石衬底 通常，gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
胶。(对于gaas、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、 黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、 绿光led芯片,采用绝缘胶来固定芯片。) 工艺难点在于点胶量的控
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120405.html2010/12/13 14:40:00
对于高亮度led制造业来说，蓝宝石上gan明显是一种领先的方案;SiC上gan几乎也一样，对眼下基于氮化物的无线/射频产品而言，它是一张中奖彩票。硅上gan也是用于这几个市场，但
https://www.alighting.cn/resource/20101201/128165.htm2010/12/1 15:21:37
求密封圈一定在沟槽内。在后壳与前壳完全合位时打上3颗螺栓。警告：1、更换灯泡及拆卸灯具前必须切断电源；2、严禁带电开盖。 三 注意: 1、更换灯泡、擦拭玻璃时，必须将灯具电源关
http://blog.alighting.cn/baitxgu00/archive/2010/11/25/116450.html2010/11/25 14:07:00
