检索首页
阿拉丁已为您找到约 22039条相关结果 (用时 0.0071125 秒)

[转载]台积电进军led 采钰打头阵

牌,但未上市盘价约33-37元。   采钰科技led技术研发处长李豫华表示,以8寸计算,目前公司封装产能为单月2千片、相当于400万颗,去年产品成功打入中国路灯产品,量

  http://blog.alighting.cn/VisEraLED/archive/2011/7/26/230921.html2011/7/26 21:52:00

一个led灯泡100—200元,你会买吗?

业,成长之路不是一帆风顺,最大的烦恼是成本居高不下。苏州纳广电有限公司董事长梁秉文坦言,一个led灯泡开价100—200元,中国百姓显然不具消费能力。价格高的背后,是核心技术的缺

  http://blog.alighting.cn/luhfhy/archive/2010/8/6/69732.html2010/8/6 14:23:00

led芯片知识

k cupper:300~400w/m-k sic:490w/m-k (2)通过金属层来接合(waferbonding)层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。 (3)导电的si衬底取

  http://blog.alighting.cn/143797/archive/2012/6/30/280489.html2012/6/30 8:43:14

led芯片知识

k cupper:300~400w/m-k sic:490w/m-k (2)通过金属层来接合(waferbonding)层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。 (3)导电的si衬底取

  http://blog.alighting.cn/131218/archive/2012/7/23/283142.html2012/7/23 22:26:43

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

首页 上一页 19 20 21 22 23 24 25 26 下一页