高质量发展，商业新机遇：2024第十七届中国零售商大会暨零售商业智能设备及商品博览会召开在即

  https://www.alighting.cn/news/20240521/176148.htm2024/5/21 11:01:47

led倒装(flip chip)简介

类是美国cree公司为代表的sic衬底。传统的蓝宝石衬底gan芯片结构，电极刚好位于芯片的出光面。在这种结构中，小部分p-gan层和"发光"层被刻蚀，以便与下面的n-gan层形成电接

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00

led芯片的制造工艺流程简介

明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2 沉积→窗口图形光刻→sio2 腐蚀→去胶→n极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→p 极图形光刻→镀膜→剥

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00

led芯片的制造工艺简介

过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。led芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2沉积

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件，如发光二极管（ｌｅｄｓ）和激光二极管（ｌｄｓ）。目前有关ｇａｎ材料生长报道和文献较多，有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在ｇａｎ的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件，如发光二极管（ｌｅｄｓ）和激光二极管（ｌｄｓ）。目前有关ｇａｎ材料生长报道和文献较多，有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在ｇａｎ的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件，如发光二极管（ｌｅｄｓ）和激光二极管（ｌｄｓ）。目前有关ｇａｎ材料生长报道和文献较多，有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在ｇａｎ的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件，如发光二极管（ｌｅｄｓ）和激光二极管（ｌｄｓ）。目前有关ｇａｎ材料生长报道和文献较多，有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在ｇａｎ的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件，如发光二极管（ｌｅｄｓ）和激光二极管（ｌｄｓ）。目前有关ｇａｎ材料生长报道和文献较多，有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在ｇａｎ的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件，如发光二极管（ｌｅｄｓ）和激光二极管（ｌｄｓ）。目前有关ｇａｎ材料生长报道和文献较多，有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在ｇａｎ的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35