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东莞市领冠led电源获2015《国家高新技术企业》

2015年10月10日,欣闻广东省高新技术企业认定管理工作领导小组办公室关于公示广东省2015年第二批高新技术企业名单的通知,东莞市领冠半导体照明有限公司荣获2015国家高新技术企

  https://www.alighting.cn/news/20151102/133825.htm2015/11/2 11:36:50

明纬电子|产品规格变更通知:led电源调光线颜色变更

依据美国nfpa 70 (national fire protection association) 及 nec 2020 (national electrical code)法规

  https://www.alighting.cn/news/20220510/172219.htm2022/5/10 17:30:04

有效提高高功率led散热性的分析

率较,因此使用传统fr4等玻璃环氧树脂封装基板,并不会造成太大的散热问题,但应用于照明用的高功率led,其发光效率约为20%~30%左右,虽芯片面积相当,整体消费电力也不高,不

  http://blog.alighting.cn/fsafasdfa/archive/2011/4/18/166028.html2011/4/18 22:42:00

基于sg3525a的太阳能逆变电源设计

本文主要介绍了sg3525a在研制太阳能逆变电源中的应用,其脉冲波形随设计线路的不同而产生不同的结果,从而解决了随机烧毁功率管的技术问题。

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V12360.htm2007/2/8 11:50:05

基于sg3525a的太阳能逆变电源设计

本文主要介绍了sg3525a在研制太阳能逆变电源中的应用,其脉冲波形随设计线路的不同而产生不同的结果,从而解决了随机烧毁功率管的技术问题。

  https://www.alighting.cn/news/200728/V12360.htm2007/2/8 11:50:05

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

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