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sio2/si制备zno薄膜及表征

本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd,se

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47

sic缓冲层对si表面生长的zno薄膜结构和光电性能的改善

电性能进行了研究。实验结果表明:sic缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是sic作为柔性能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12

si掺杂zno薄膜的制备及光学性质的研究

实验利用磁控溅射方法,采用zno陶瓷靶,以石英为,制备了不同si掺杂浓度的样品,并在氧气氛下对样品做了不同温度的快速退火和随炉温自然退火处理,为了对比,实验采用了同样的制备方

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:48:48

si(001)上apcvd生长3c-sic薄膜的微孪晶及含量

利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15

四副局长谈厦门“抠门经”led年省电费513万

市科技局副局长徐平东说,预计到今年,将推广7.5万盏以上led半导体照明灯具。led半导体照明,能实现节电30%以上,地下停车场照明节电可达70%-80%左右,年节电约1150

  https://www.alighting.cn/news/20111017/n053735051.htm2011/10/17 9:15:58

2011年第一批国家标准修订计划下达,涉及led标准20项

大陆国家标准化管理标员会下达2011年第一批国家标准制修订计划,本批计划共计917项,新制定的398项中涉及led的相关标准有24项,涉及及外延片、荧光粉、光生物安全、照明产

  https://www.alighting.cn/news/20111013/99965.htm2011/10/13 18:23:33

探析led蓝宝石发展走势

随着全球半导体照明产业的迅猛发展,特别是led在液晶电视背光、通用照明等应用领域的迅速扩展,使蓝宝石材料成为继led芯片之后半导体照明产业的另一大热门投资领域。然而与目前超

  https://www.alighting.cn/news/20111013/86246.htm2011/10/13 16:37:48

2011年第一批国标修订计划涉及led相关24项

9月27日,大陆国家标准化管理标员会下达2011年第一批国家标准制修订计划,本批计划共计917项,新制定的398项中涉及led的相关标准有21项,涉及及外延片、荧光粉、光生

  https://www.alighting.cn/news/20111013/n400234995.htm2011/10/13 10:41:10

6家股权投资公司向施科特增资1.8亿元

根据协议,6家股权投资公司将共同向施科特增资1.8亿元人民币,此次增资资金将主要用于施科特公司生产基地建设及设备采购。

  https://www.alighting.cn/news/20111013/n514834992.htm2011/10/13 10:13:39

下游市场苦挣扎 中国led产业令人担忧

入战略性新兴产业。据国家半导体照明工程研发及产业联盟(csa)发布的统计数据,今年1月至7月,中国led行业计划新增投资总额达1256亿元。据了解,上游和外延芯片是投资的重

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/10/12/244215.html2011/10/12 17:09:42

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