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なかった佐々木明（エムシ）を含めた日本男子の主力３選手は２１日の男子回転第２戦で、佐々木が１６位、湯浅は２３位、皆川も２４位と、バンクーバースキーツアー五輪代表選考基準の一つである
http://blog.alighting.cn/mdfieif/archive/2009/12/24/22120.html2009/12/24 14:24:00
、一定以上の速度が出る電動アシスト自転車や電動自転車については原動機付自転車と同様に扱われるということが広く知れ渡った。中国では今、来年より施行される新しい電動自転車に関する基準につ
http://blog.alighting.cn/rghhhju/archive/2009/12/23/22070.html2009/12/23 17:17:00
http://blog.alighting.cn/rghhhju/archive/2009/12/23/22069.html2009/12/23 17:15:00
本文提出了一种基于 mems 的 led 芯片封装技术 ,利用体硅工艺在硅基上形成的凹槽作为封装 led 芯片的反射腔 。
https://www.alighting.cn/news/20091223/V22313.htm2009/12/23 12:17:46
负责建造该显示墙的天津光电星球显示设备有限公司董事长张广清先生表示“欧司朗的 led 属于市场上最好的 led，这 multiled 产品在色彩和亮度方面均达到了极高的一致性，而且
https://www.alighting.cn/news/20091222/121078.htm2009/12/22 0:00:00
与正装led相比 ,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势 。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试 ,对其散热性能进行了分析。
https://www.alighting.cn/news/20091221/V22251.htm2009/12/21 7:55:36
采用 x 光双晶衍射仪分析了 GaN 基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成 GaN2-led 芯片 , 对分组抽取特定区域芯片封装成的 GaN2led 器件进行可靠性试验 。对
https://www.alighting.cn/news/20091221/V22250.htm2009/12/21 7:50:32
底的GaN芯片制备；GaN、lialo2、zno、aln等新型衬底的外延和芯片技术；功率型GaN基芯片制造；高效率大功率led封装技术；100lm/w以上功率led封装用有机硅材料；10
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21632.html2009/12/15 16:48:00
底的GaN芯片制备；GaN、lialo2、zno、aln等新型衬底的外延和芯片技术；功率型GaN基芯片制造；高效率大功率led封装技术；100lm/w以上功率led封装用有机硅材
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21633.html2009/12/15 16:48:00
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21634.html2009/12/15 16:48:00
