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度是白炽灯的10倍；5) 超长寿命50,000小时以上，是传统钨丝灯的50倍以上。led采用高可靠的先进封装工艺—共晶焊，充分保障led的超长寿命；6) 无频闪。纯直流工作，消除了传

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258635.html2011/12/19 11:10:07

长寿命50,000小时以上，是传统钨丝灯的50倍以上。led采用高可靠的先进封装工艺—共晶焊，充分保障led的超长寿命；6) 无频闪。纯直流工作，消除了传统光源频闪引起的视觉疲劳；

http://blog.alighting.cn/a793219635/archive/2011/12/28/260431.html2011/12/28 13:52:45

度是白炽灯的10倍；5) 超长寿命50,000小时以上，是传统钨丝灯的50倍以上。led采用高可靠的先进封装工艺—共晶焊，充分保障led的超长寿命；6) 无频闪。纯直流工作，消除了传

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261438.html2012/1/8 21:29:01

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底。其中生长在砷化鎵生长衬

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

度是白炽灯的10倍；5) 超长寿命50,000小时以上，是传统钨丝灯的50倍以上。led采用高可靠的先进封装工艺—共晶焊，充分保障led的超长寿命；6) 无频闪。纯直流工作，消除了传

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262609.html2012/1/29 0:33:23

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底。其中生长在砷化鎵生长衬

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底。其中生长在砷化鎵生长衬

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底。其中生长在砷化鎵生长衬

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

度是白炽灯的10倍；5) 超长寿命50,000小时以上，是传统钨丝灯的50倍以上。led采用高可靠的先进封装工艺—共晶焊，充分保障led的超长寿命；6) 无频闪。纯直流工作，消除了传

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271711.html2012/4/10 23:23:42

3 133900 台湾晶元芯片小计 133900.00 二、电气部分 1 开关电源 350w 个 16 265.00 4,240.00 2 总电线 xjv-r4x6 m 200 28

http://blog.alighting.cn/yakeys/archive/2012/4/19/272429.html2012/4/19 14:28:29