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样的方法在蓝光gan-led上迭放一层alingap半 导体复合物,也生成了白光。led晶圆制程衬底结构设计缓冲层生长n型gan层生长多量子阱发光层生长p型gan层生长退火检测(光荧
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制的mocvd设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994年首先生产出高亮度蓝光和绿光发光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研制 的mocvd设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994年首先生产出高亮度蓝光和绿光发
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灯和光源设计中发挥日益重要的作用。2)提高显色性目前白光led普遍使用发蓝光led叠加由蓝光激发的发黄光的钇铝石榴石(yag)荧光粉,合成为白光。由于其发光光谱中仅含蓝、黄这两个波
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3.1v。白光led和蓝光led的正向电压相同,典型值都是3.3v。为便携式设备中这些led提供恒定的电压和电流是一大挑战。供电电源必须能够自我调节以适应不断降低的电池电压,否则
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用。白光led与卤素光源具有相同的特性,但它的使用寿命为50,000小时左右。不过,因为白光led是生产商以蓝光led为基础,使用磷光体涂层而制成的,所以不同生产商的白光可能有所不
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底的蓝光、绿光led芯片,采用绝缘胶来固定芯片。)工艺难点在于点胶量的控制,在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求,银胶的醒料、搅拌、使
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该产品电源采用锂离子蓄电池,光源采用多只红光、绿光、蓝光led并联,多色光通过特殊的凸透镜后产生人眼所见的白光,照度可高达700lx,基本达到矿灯标准要求的照度,并且产品体积、重量
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1~1020/cm3范围。2.4gan的光学特性人们关注的gan的特性,旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。maruska和tietjen首先精确地测量了gan直接隙能量为3.39e
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