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构的leD晶片到渖接点的热阻抗可以降低9k/w,大约是传统leD的1/6左右，封装后的leD施加2w的电力时，leD晶片的接合温度比渖接点高18k,即使印刷电路板温度上升到500
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120527.html2010/12/13 22:56:00
D指示灯 上一世纪60年代初期用化合物半导体制成leD的问世，使晶体管电子仪器、电气设备中白炽指示灯泡开始被红色、黄色、黄绿色的leD灯所取代。白炽指示灯泡的功耗一般为6.3v×
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
温小于135℃，与之对应leD退化率也很小，所以引起塑料封装材料变化，对leD的寿命有重要的影响的温度范围是135～145℃，另外，在大电流条件下，封装材料甚至会碳化[4－6
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
粉的发射光谱。铝酸盐荧光粉的发射主峰位于
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120556.html2010/12/13 23:05:00
格较高。 6、寿命 不同品质的关键是寿命，寿命由光衰决定。光衰小、寿命长，寿命长，价格高。 7、晶片 leD的发光体为晶片，不同的晶片，价格差异很大。日本、美国的晶片较贵，一般台湾
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120557.html2010/12/13 23:06:00
灯每米耗电40多w，而采用leD每米的功率只有6-8w（以100只?leD单体红、绿、蓝三色均布计算）。 3、使用寿命长 一般来讲，普通白炽灯的寿命约为1000小时，荧光灯、高
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120558.html2010/12/13 23:06:00
个leD灯具产品能否顺利通过ce、ul等认证，因此驱动芯片本身在设计伊始就要选用优秀的拓朴结构和高压的生产工艺。 6. 驱动芯片自身功耗要求小于0.5w，开关工作频率要求大于12
http://blog.alighting.cn/flashhsj/archive/2010/12/14/120761.html2010/12/14 14:47:00
行区照明首次应用的leD三防（防水、防震、防尘）隧道照明灯，也是新力光源为成都地铁量身打造，比原设计使用灯具节能37%以上，寿命长达3.5万小时，是原设计产品的6倍以上。 作
http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/12/14/120770.html2010/12/14 15:21:00
率。 （5）通过优化外延层结构及掺杂分布，减小串联电阻，降低工作电压，减少热产生率，提升了leD的工作效率并改善器件的可靠性。 （6）采用多层金属结构，同时兼顾欧姆接触、反
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
材枓结构，理论上可以生产从红外光一直到绿光范围内任何波长的leD，下标x代表磷元素取代砷元素的百分比。一般通过pn结压降可以确定leD的波长颜色。其中典型的有gaas0.6p0.
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120860.html2010/12/14 21:44:00
