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了纯度高,平整性好外,量产能力及磊晶成长速度亦较mbe为快,所以现在大都以mocvd来生产。其过程首先是将gaas衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉(简mocvd,又称外延炉),再通
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体中携带出蒸汽,与v族的氢化物(如nh3,ph3,ash3)混合,再通入反应室,在加热的衬底表面发生反应,外延生长化合物晶体薄膜。mocvd具有以下优点：用来生长化合物晶体的各组
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机比较成熟,20片左右的机台还在成熟中,片数较多后导致外延片均匀性不够。发展趋势是 两个方向：一是开发可一次在反应室中装入更多个衬底外延片生长,更加适合于规模化生产的技术,以降低成
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产。据预测,到2005年国 际上led的市场需求量约为2000亿只,销售额达800亿美元。在led产业链接中,上游是led衬底晶片及衬底生产,中游的产业化为led芯片设计及制造生
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过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。led芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2沉积
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素的有机化合物和ⅴ族元素的氢化物等作为晶体生长原料,以热分解反应方式在衬底上进行汽相外延,生长各种ⅲ-ⅴ族、ⅱ-ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄膜层单晶材料。mocvd是在
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氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓
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3,zn(c2h5)3等,它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。用氢气或氮气作为载气,通入液体中携带出蒸汽,与v族的氢化物(如nh3,ph3,ash3)混合,再通入反应室,在加热的衬底表
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外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
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测,到2005年国际上led的市场需求量约为2000亿只,销售额达800亿美元。在led产业链接中,上游是led衬底晶片及衬底生产,中游的产业化为led芯片设计及制造生产,下游
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