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全铜sram工艺，其密度为5980个逻辑单元，包含20个128×36位的ram块（m4k模块），总的ram空间达到92160位。内嵌2个锁相环电路和一个用于连接sdram的特定双数
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230303.html2011/7/19 23:52:00
厚的gan膜，从而减少热失配和晶格失配对材料性能的影响，可采用剥离技术，将获得的低位错密度的厚膜与衬底分离，从而成为体单晶 gan晶片的替代品，用作采用其他方法进行同质外延生长的衬
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
断改进，如利用不同的电极设计控制电流密度，利用ito薄膜技术令通过led的电流能平均分布等，使led芯片在结构上都尽可能产生最多的光子。再运用各种不同方法去抽出led发出的每一粒光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230474.html2011/7/20 23:07:00
率，改善芯片结构与封装结构，都可以达到与低功率白光 led 相同水平，主要原因是电流密度提高 2 倍以上时，不但不容易从大型芯片取出光线，结果反而会造成发光效率不如低功率白光 le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230477.html2011/7/20 23:09:00
以克服了某些led的缺点。例如，蓝色led效率较低，通常需要更高电流的驱动已达到亮度的平衡。通过适当的缩放fet的责任周期也可解决此问题，并产生同样的亮度平衡。由于是电流密度控制了
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230510.html2011/7/20 23:25:00
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/17/232649.html2011/8/17 22:45:00
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/17/232651.html2011/8/17 22:52:00
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/17/232652.html2011/8/17 22:54:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232655.html2011/8/18 1:14:00
底。 2．小面积成为图，大面积成为底。 3．密度或有纹理易成为图。 4．二形位于上下之位置时，而其面积，形状均相同，只有色彩或明度有差异，此时位于下边之形易成为图。 5
http://blog.alighting.cn/rosekey/archive/2011/8/18/232731.html2011/8/18 14:10:00
