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4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1～2 mw,紫光1～2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42
是有很大的参考价值；寿命试验以外延片生产批为母样，随机抽取其中一片外延片中的8~10粒芯片，封装成ф5单灯器件，进行为96小时寿命试验，其结果代表本生产批的所有外延片。一般认为，试
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262671.html2012/1/29 0:37:03
d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262668.html2012/1/29 0:36:52
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55
由于led技术的进步，led应用亦日渐多元化，由早期的电源指示灯，进展至具有省电、寿命长、可视度高等优点之led照明产品。然而由于高功率led输入功率仅有15至20%转换成光，其余
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262645.html2012/1/29 0:35:23
体的制作技术，应该可以克服上述困扰。如上所述提高施加电力的同时，必需设法减少热阻抗、改善散热问题，具体内容分别是：降低芯片到封装的热阻抗、抑制封装至印刷电路基板的热阻抗、提高芯片的散
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262641.html2012/1/29 0:35:11
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l bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设
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指在led负载端和220v输入端有直接连接，因此触摸负载就有触电的危险。220v和铝壳之间只有铝基板的极薄绝缘层的隔离，通常不容易通过ce和ul认证。 图2. 隔离式led日光灯电
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与白炽灯和荧光灯等通用性光源相比，距离甚远。因此，led要在照明领域发展，关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长技
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