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led芯片的制造工艺流程

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上,气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技术主

  https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56

led行业2015年投资策略(2)

本文详细介绍了led行业2015年投资策略,详情请看下文。

  https://www.alighting.cn/2015/1/9 10:27:59

led行业2015年投资策略(1)

本文详细介绍了led行业2015年投资策略,详情请看下文。

  https://www.alighting.cn/resource/20150109/123768.htm2015/1/9 10:16:51

led芯片及器件的分选测试

本文主要介绍led芯片及器件的分选测试,led的分选有两种方法:一是以芯片为基础的测试分选,二是对封装好的led进行测试分选。

  https://www.alighting.cn/2013/7/18 16:24:50

宽禁带半导体sic和zno的外延生长及其掺杂的研究

作为第三代宽禁带半导体材料,sic和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。sic具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方面有

  https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15

zno的用途及其薄膜的制备方法

阐述了zno薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性,详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原子

  https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:04:19

【专业术语】外延生长(epitaxial growth)

外延片生长是指:在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。

  https://www.alighting.cn/resource/20101231/128112.htm2010/12/31 10:57:06

我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破

由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破,在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。

  https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00

晶能光电: 价格战继续,但降价速度减缓

快速扩张引发的迅速膨胀,库存所带来的危机,产业结构的失衡,核心技术的缺失,价格战,倒闭潮……变动的时局,艰难的抉择,2013年,led行业到底路往何方?重重围困下,led人到底该如

  https://www.alighting.cn/news/20130129/85339.htm2013/1/29 17:32:38

led行业2011年-2012年将会出现“整合并购潮”

在真明丽日前举办的2011经销商大会上,记者拜访了真明丽led事业群ceo叶国光,他给我们介绍了真明丽目前发展现状和未来的规划,并向我们解读了led当今及未来几年的发展趋势。

  https://www.alighting.cn/news/20110322/85682.htm2011/3/22 13:29:00

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